UCC27527
- 引腳分配符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
- 兩個(gè)獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)通道
- 5A 峰值供源和吸收驅(qū)動(dòng)電流
- 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 輸入邏輯閾值
(VDD 引腳上的電源電壓的函數(shù)) - 實(shí)現(xiàn)高抗噪性的滯后邏輯閾值
- 針對(duì)每個(gè)輸出的獨(dú)立使能功能
- 輸入和使能引腳電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓限制
- 4.5V 至 18V 單電源范圍
- VDD 欠壓閉鎖 (UVLO) 期間輸出保持低電平(確保加電和斷電時(shí)無(wú)毛刺脈沖運(yùn)行)
- 快速傳播延遲(典型值 17ns)
- 快速上升和下降時(shí)間(典型值 7ns 和 6ns)
- 兩通道間的延遲匹配時(shí)間典型值為 1ns
- 當(dāng)輸入浮動(dòng)時(shí)輸出保持低電平
- 小外形尺寸集成電路 (SOIC)-8 和 3mm x 3mm 晶圓級(jí)小外形無(wú)引線 (WSON)-8 封裝選項(xiàng)
- 工作溫度范圍 -40°C 至 140°C
- 輸入引腳具有 -5V 負(fù)電壓處理能力
應(yīng)用
- 開(kāi)關(guān)模式電源
- 直流到直流轉(zhuǎn)換器
- 電機(jī)控制,太陽(yáng)能
- 用于諸如 GaN 等新興寬帶隙電源器件的柵極驅(qū)動(dòng)
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UCC2752x 系列產(chǎn)品是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠高效地驅(qū)動(dòng) MOSFET 和絕緣柵極型功率管 (IGBT) 電源開(kāi)關(guān)。 UCC2752x 采用的設(shè)計(jì)方案可最大程度減少擊穿電流,從而為電容負(fù)載提供高達(dá) 5A 的峰值拉/灌電流脈沖,同時(shí)提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力以及超短的傳播延遲(典型值為 17ns)。 除此之外,此驅(qū)動(dòng)器特有兩個(gè)通道間相匹配的內(nèi)部傳播延遲,這一特性使得此驅(qū)動(dòng)器非常適合于諸如同步整流器等對(duì)于雙柵極驅(qū)動(dòng)有嚴(yán)格計(jì)時(shí)要求的應(yīng)用。 輸入引腳閾值基于 CMOS 邏輯,是 VDD 電源電壓的函數(shù)。 閾值上下限間的寬滯后提供了出色的抗噪性。 此使能引腳基于 TTL 和 CMOS 兼容邏輯,與 VDD 電源電壓無(wú)關(guān)。
The UCC27528 是一款雙路非反相驅(qū)動(dòng)器。 UCC27527 特有雙路輸入設(shè)計(jì),可靈活地為每個(gè)通道提供反相(IN- 引腳)和非反相(IN+ 引腳)配置。 IN+ 引腳和 IN- 引腳均可用于控制驅(qū)動(dòng)器輸出的狀態(tài)。 未使用的輸入引腳可用于啟用和禁用功能。 出于安全考慮,當(dāng)輸入引腳處于懸空狀態(tài)時(shí),UCC2752x 系列所有器件可通過(guò)輸入引腳上的內(nèi)部上拉和下拉電阻確保輸出保持在低電平。 UCC27528 特有使能引腳(ENA 和 ENB)以更好地控制此驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的運(yùn)行。 針對(duì)高電平有效邏輯,這些引腳被內(nèi)部上拉至 VDD 并可為了實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行而持續(xù)打開(kāi)。
技術(shù)文檔
| 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | UCC2752x 基于CMOS 輸入閾值邏輯的 雙路 5A 高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表 (Rev. E) | PDF | HTML | 英語(yǔ)版 (Rev.E) | PDF | HTML | 2015年 3月 13日 |
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | 適用于柵極驅(qū)動(dòng)器的外部柵極電阻器設(shè)計(jì)指南 (Rev. A) | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應(yīng)用手冊(cè) | Improving Efficiency of DC-DC Conversion through Layout | 2019年 5月 7日 | ||||
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | High-Side Cutoff Switches for High-Power Automotive Applications (Rev. A) | 2018年 11月 26日 | ||||
| 更多文獻(xiàn)資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| 更多文獻(xiàn)資料 | MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理 | 最新英語(yǔ)版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole | 2018年 3月 16日 |
設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)
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