主頁 電源管理 柵極驅(qū)動(dòng)器 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

UCC21540A-Q1

正在供貨

具有 5V UVLO 和 3.3mm 通道間距的汽車類 5.7kVrms、4A/6A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

可提供此產(chǎn)品的更新版本

功能優(yōu)于所比較器件的普遍直接替代產(chǎn)品
UCC21550-Q1 正在供貨 適用于 IGBT 且具有 DIS 和 DT 引腳的汽車級(jí) 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 Improved CMTI, faster VDD startup

產(chǎn)品詳情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 6 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 6 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DWK) 14 106.09 mm2 10.3 x 10.3

UCC21540-Q1 器件是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)定性。該器件采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流來驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。

UCC21540-Q1 器件可以配置為兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器。輸入側(cè)通過一個(gè) 5.7kVRMS 隔離柵與兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器相隔離,其共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 125V/ns。

保護(hù)功能包括:可通過電阻器編程的死區(qū)時(shí)間;通過禁用功能同時(shí)關(guān)閉兩路輸出;以及在輸入引腳上對(duì)高達(dá) -5V 的尖峰進(jìn)行 50ns 的負(fù)電壓處理。所有電源都有 UVLO 保護(hù)。

UCC21540-Q1 器件是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)定性。該器件采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流來驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。

UCC21540-Q1 器件可以配置為兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器。輸入側(cè)通過一個(gè) 5.7kVRMS 隔離柵與兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器相隔離,其共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 125V/ns。

保護(hù)功能包括:可通過電阻器編程的死區(qū)時(shí)間;通過禁用功能同時(shí)關(guān)閉兩路輸出;以及在輸入引腳上對(duì)高達(dá) -5V 的尖峰進(jìn)行 50ns 的負(fù)電壓處理。所有電源都有 UVLO 保護(hù)。

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可提供 UCC21540A-Q1 功能安全手冊(cè)以及功能安全時(shí)基故障率、FMD 和引腳 FMA 報(bào)告。立即申請(qǐng)

技術(shù)文檔

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類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 UCC21540-Q1 具有 3.3mm 通道間距選項(xiàng)的 數(shù)據(jù)表 (Rev. D) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2024年 10月 2日
證書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025年 9月 22日
證書 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 2019年 7月 22日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

如需其他信息或資源,請(qǐng)點(diǎn)擊以下任一標(biāo)題進(jìn)入詳情頁面查看(如有)。

評(píng)估板

UCC21540EVM — 通道間距為 3.3mm 的 5.0kVrms 隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊

UCC21540EVM 適用于評(píng)估 UCC21540,后者是一種具備 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流能力的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器。此 EVM 可用作功率 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì),具備高達(dá) 18V 的驅(qū)動(dòng)電壓、UCC21540 引腳功能識(shí)別、組件選擇指南以及 PCB 布局示例。
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模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評(píng)估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用,包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一,涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫,您可對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案,然后再進(jìn)行布局和制造,可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并降低開發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。

支持和培訓(xùn)

可獲得 TI 工程師技術(shù)支持的 TI E2E? 論壇

所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供,并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款。

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