數(shù)據(jù)表
UC1825-DIE
- 抗輻射:30kRad (Si) 電離總劑量效應(yīng) (TID) 抗輻射性是基于初始器件鑒定劑量率等于每秒 10mrad 時的典型值。 提供輻射批次驗收測試 - 詳細(xì)信息請聯(lián)系廠家。
- 與電壓或電流模式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)兼容
- 實際運(yùn)行開關(guān)頻率
- 到輸出的 50ns 傳播延遲
- 高電流雙推挽式輸出
- 寬帶寬誤差放大器
- 支持雙脈沖抑制的全鎖存邏輯
- 逐脈沖電流限制
- 軟啟動/最大占空比控制
- 帶有滯后功能的欠壓閉鎖
- 低啟動電流
UC1825-DIE PWM 控制器件針對高頻開關(guān)模式電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 對在大大增加誤差放大器的帶寬和轉(zhuǎn)換率的同時,大大減小通過比較器和邏輯電路的傳播延遲給與了特別關(guān)注。 這個控制器設(shè)計用于電流模式或電壓模式系統(tǒng),此系統(tǒng)具有輸出電壓前饋功能。
保護(hù)電路包括一個閥值電壓為 1V 的電流限制比較器、一個 TTL 兼容關(guān)斷端口和一個軟啟動引腳,此引腳可對折為一個最大占空比鉗位。 此邏輯被完全鎖存以提供無抖動運(yùn)行,并且抑制了輸出上的多脈沖。 一個具有 800mV 滯后的欠壓閉鎖部分可確保低啟動電流。 欠壓閉鎖期間,輸出為高阻抗。
這個器件特有推挽式輸出,此輸出被設(shè)計用來拉、灌來自電容負(fù)載(諸如一個功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的柵極)的高峰值電流。 接通狀態(tài)被設(shè)計為高電平。
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| * | 數(shù)據(jù)表 | 抗輻射,高速脈寬調(diào)制(PWM) 控制器. 數(shù)據(jù)表 | 英語版 | PDF | HTML | 2013年 8月 6日 |
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