主頁(yè) 電源管理 DDR 存儲(chǔ)器電源 IC

TPS65296

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4.5V 至 18V 輸入電壓、完整 LPDDR4 和 LPDDR4X 存儲(chǔ)器電源解決方案

產(chǎn)品詳情

DDR memory type LPDDR4, LPDDR4X Control mode D-CAP3 Iout VDDQ (max) (A) 8 Iout VTT (max) (A) 1.5 Iq (typ) (mA) 0.15 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 18 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Regulator type Step-Down Module Vin bias (max) (V) 16 Vin bias (min) (V) 4.5 Vout VTT (min) (V) 0.6
DDR memory type LPDDR4, LPDDR4X Control mode D-CAP3 Iout VDDQ (max) (A) 8 Iout VTT (max) (A) 1.5 Iq (typ) (mA) 0.15 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 18 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Regulator type Step-Down Module Vin bias (max) (V) 16 Vin bias (min) (V) 4.5 Vout VTT (min) (V) 0.6
VQFN-HR (RJE) 18 9 mm2 3 x 3
  • 同步降壓轉(zhuǎn)換器 (VDD2)
    • 輸入電壓范圍:4.5V 至 18V
    • 輸出電壓固定為 1.1V
    • D-CAP3? 模式控制,可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
    • 持續(xù)輸出電流:8A
    • 高級(jí) Eco-mode? 脈沖跳躍
    • 集成式 22mΩ/8.6mΩ RDS(on) 內(nèi)部電源開關(guān)
    • 600kHz 開關(guān)頻率
    • 內(nèi)部軟啟動(dòng):1.6ms
    • 逐周期過流保護(hù)
    • 鎖存輸出 OV/UV 保護(hù)
  • 同步降壓轉(zhuǎn)換器 (VDD1)
    • 輸入電壓范圍:3V 至 5.5V
    • 輸出電壓固定為 1.8V
    • D-CAP3? 模式控制,可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
    • 持續(xù)輸出電流:1A
    • 高級(jí) Eco-mode? 脈沖跳躍
    • 集成式 150mΩ/120mΩ RDS(on) 內(nèi)部電源開關(guān)
    • 580kHz 開關(guān)頻率
    • 內(nèi)部軟啟動(dòng):1ms
    • 逐周期過流保護(hù)
    • 鎖存輸出 OV/UV 保護(hù)
  • 1.5A LDO (VDDQ)
    • 1.5A 持續(xù)輸出電流
    • 僅需 10μF 的陶瓷輸出電容
    • 在 S3 狀態(tài)下支持高阻態(tài)輸出
    • ±30mV VDDQ 輸出精度(直流 + 交流)
  • 低靜態(tài)電流:150μA
  • 電源正常指示器
  • 輸出放電功能
  • 加電和斷電排序控制
  • 非鎖存 OT 和 UVLO 保護(hù)
  • 18 引腳 3.0mm × 3.0mm HotRod? VQFN 封裝
  • 同步降壓轉(zhuǎn)換器 (VDD2)
    • 輸入電壓范圍:4.5V 至 18V
    • 輸出電壓固定為 1.1V
    • D-CAP3? 模式控制,可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
    • 持續(xù)輸出電流:8A
    • 高級(jí) Eco-mode? 脈沖跳躍
    • 集成式 22mΩ/8.6mΩ RDS(on) 內(nèi)部電源開關(guān)
    • 600kHz 開關(guān)頻率
    • 內(nèi)部軟啟動(dòng):1.6ms
    • 逐周期過流保護(hù)
    • 鎖存輸出 OV/UV 保護(hù)
  • 同步降壓轉(zhuǎn)換器 (VDD1)
    • 輸入電壓范圍:3V 至 5.5V
    • 輸出電壓固定為 1.8V
    • D-CAP3? 模式控制,可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
    • 持續(xù)輸出電流:1A
    • 高級(jí) Eco-mode? 脈沖跳躍
    • 集成式 150mΩ/120mΩ RDS(on) 內(nèi)部電源開關(guān)
    • 580kHz 開關(guān)頻率
    • 內(nèi)部軟啟動(dòng):1ms
    • 逐周期過流保護(hù)
    • 鎖存輸出 OV/UV 保護(hù)
  • 1.5A LDO (VDDQ)
    • 1.5A 持續(xù)輸出電流
    • 僅需 10μF 的陶瓷輸出電容
    • 在 S3 狀態(tài)下支持高阻態(tài)輸出
    • ±30mV VDDQ 輸出精度(直流 + 交流)
  • 低靜態(tài)電流:150μA
  • 電源正常指示器
  • 輸出放電功能
  • 加電和斷電排序控制
  • 非鎖存 OT 和 UVLO 保護(hù)
  • 18 引腳 3.0mm × 3.0mm HotRod? VQFN 封裝

TPS65296 器件能夠以最低的總成本和最小的空間為 LPDDR4/LPDDR4X 存儲(chǔ)器系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)中的 LPDDR4/LPDDR4X 加電和斷電順序要求。TPS65296 采用兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器(VDD1 和 VDD2)和一個(gè) 1.5A LDO (VDDQ)。

TPS65296 采用 D-CAP3™ 模式,開關(guān)頻率為 600kHz,可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)、良好的負(fù)載/線路調(diào)節(jié),并支持陶瓷輸出電容器,而無需外部補(bǔ)償電路。

TPS65296 利用內(nèi)部的低 Rdson 電源 MOSFET 提供了豐富的功能和很高的效率。它支持靈活的電源狀態(tài)控制,在 S3 狀態(tài)下將 VDDQ 置于高阻抗?fàn)顟B(tài),在 S4/S5 狀態(tài)下對(duì) VDD1、VDD2 和 VDDQ 進(jìn)行放電。全面的保護(hù)特性包括 OVP、UVP、OCP、UVLO 和熱關(guān)斷保護(hù)。該器件采用熱增強(qiáng)型 18 引腳 HotRod™ VQFN 封裝,并且設(shè)計(jì)用于在 –40°C 至 125°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)工作。

TPS65296 器件能夠以最低的總成本和最小的空間為 LPDDR4/LPDDR4X 存儲(chǔ)器系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)中的 LPDDR4/LPDDR4X 加電和斷電順序要求。TPS65296 采用兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器(VDD1 和 VDD2)和一個(gè) 1.5A LDO (VDDQ)。

TPS65296 采用 D-CAP3™ 模式,開關(guān)頻率為 600kHz,可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)、良好的負(fù)載/線路調(diào)節(jié),并支持陶瓷輸出電容器,而無需外部補(bǔ)償電路。

TPS65296 利用內(nèi)部的低 Rdson 電源 MOSFET 提供了豐富的功能和很高的效率。它支持靈活的電源狀態(tài)控制,在 S3 狀態(tài)下將 VDDQ 置于高阻抗?fàn)顟B(tài),在 S4/S5 狀態(tài)下對(duì) VDD1、VDD2 和 VDDQ 進(jìn)行放電。全面的保護(hù)特性包括 OVP、UVP、OCP、UVLO 和熱關(guān)斷保護(hù)。該器件采用熱增強(qiáng)型 18 引腳 HotRod™ VQFN 封裝,并且設(shè)計(jì)用于在 –40°C 至 125°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)工作。

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類型 標(biāo)題 下載最新的英語(yǔ)版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 TPS65296 - 完整 LPDDR4/LPDDR4X 存儲(chǔ)器電源解決方案 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.A) PDF | HTML 2020年 12月 22日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

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評(píng)估板

TPS65295EVM-079 — 8-A 降壓轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊

TPS65295 評(píng)估模塊 (EMV) 用于評(píng)估 TPS65295 器件。TPS65295 以極低總成本和極小空間為 DDR4 存儲(chǔ)器系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)中的 DDR4 加電和斷電順序要求。TPS65295 將兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器(VPP 和 VDDQ)與 1A 灌電流和拉電流跟蹤 LDO (VTT) 以及緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用 D-CAP3? 模式,開關(guān)頻率為 600kHz,可實(shí)現(xiàn)易用性、快速瞬態(tài)響應(yīng),并支持陶瓷輸出電容器,而無需外部補(bǔ)償電路。
用戶指南: PDF
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

TPS65296 TINA TI Reference Design

SLUM697.ZIP (471 KB) - TINA-TI Reference Design
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
VQFN-HR (RJE) 18 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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