數(shù)據(jù)表
TPS543B20
- 內(nèi)部補(bǔ)償高級電流模式控制 25A POL
- 輸入電壓范圍:4V 至 19V
- 輸出電壓范圍:0.6V 至 5.5V
- 集成 4.1/1.9mΩ 堆疊式 NexFET?功率級,帶有無損低側(cè)電流檢測功能
- 固定頻率 - 同步到外部時鐘和/或同步輸出
- 可通過引腳搭接進(jìn)行編程的開關(guān)頻率
- 獨(dú)立模式下為 300kHz 至 2MHz
- 堆疊模式下為 300kHz 至 1MHz
- 通過雙倍堆疊實(shí)現(xiàn)高達(dá) 50A 負(fù)載,并具有電流共享、電壓共享和 CLK 同步功能
- 可通過引腳搭接進(jìn)行編程的基準(zhǔn)電壓介于 0.6V 至 1.1V 之間,精度達(dá) 0.5%
- 差分遙感
- 安全啟動至預(yù)偏置輸出電壓
- 高精度打嗝電流限制
- 異步脈沖注入 (API) 和體制動
- 40 引腳 5mm × 7mm LQFN 封裝,具有 0.5mm 間距和單個散熱墊
- 使用 TPS543B20 并借助 WEBENCH? 電源設(shè)計(jì)器創(chuàng)建定制設(shè)計(jì)方案
TPS543B20 采用內(nèi)部補(bǔ)償?shù)姆抡娣逯惦娏髂J娇刂品绞剑哂羞m用于 EMI 敏感型 POL 的時鐘同步固定頻率調(diào)制器。內(nèi)部積分器和直接放大式斜坡跟蹤環(huán)路在較寬頻率范圍內(nèi)消除了對外部補(bǔ)償?shù)男枨?,從而使系統(tǒng)設(shè)計(jì)具有靈活、密集和簡單的特點(diǎn)??蛇x的 API 和體制動功能有助于分別通過顯著減少下沖和過沖來提高瞬態(tài)性能。具有低損耗開關(guān)特性的集成式 NexFET™MOSFET 有助于提高效率和提供高達(dá) 25A 的輸出電流(采用 5mm × 7mm 的 PowerStack™封裝,帶有方便布局的散熱墊)。兩個 TPS543B20 器件可以堆疊在一起,以便提供高達(dá) 50A 的負(fù)載點(diǎn)。
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評估板
TPS543B20EVM-054 — 25A 固定頻率非補(bǔ)償可堆疊同步降壓轉(zhuǎn)換器評估模塊
TPS543B20EVM-054 旨在幫助用戶輕松評估和測試 TPS543B20 降壓轉(zhuǎn)換器的運(yùn)行情況和功能。此 EVM 可將 4V 至 19V 的輸入電壓轉(zhuǎn)換為 0.9V 的穩(wěn)壓輸出電壓,輸出電流高達(dá) 25A,采用 5mm x 7mm QFN 封裝。此 EVM 具有方便的測試點(diǎn),可測量關(guān)鍵波形。
計(jì)算工具
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| LQFN-CLIP (RVF) | 40 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息:
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計(jì)。