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TPS53317A

正在供貨

0.9V 至 6V 輸入、6A 輸出、D-CAP+ 模式的 SWIFT 同步降壓 DDR VTT 轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品詳情

Product type DDR Vin (min) (V) 0.9 Vin (max) (V) 6 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 3.6 Features Eco Mode, Fixed PWM Mode, Power good, Tracking/Non-Tracking Mode Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Iq (typ) (mA) 0.32 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Product type DDR Vin (min) (V) 0.9 Vin (max) (V) 6 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 3.6 Features Eco Mode, Fixed PWM Mode, Power good, Tracking/Non-Tracking Mode Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Iq (typ) (mA) 0.32 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
VQFN (RGB) 20 14 mm2 4 x 3.5
  • 采用 TI 專有的集成金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和封裝技術(shù)
  • 支持 DDR 內(nèi)存終止，具有高達 6A 的持續(xù)輸出源電流或者吸收電流
  • 外部跟蹤
  • 最少的外部組件數(shù)
  • 0.9V 至 6V 轉(zhuǎn)換電壓
  • D-CAP+ 模式架構(gòu)
  • 支持所有多層片式陶瓷輸出電容器和 SP/POSCAP
  • 可選跳躍 (SKIP) 模式或者強制 CCM
  • 輕量級負(fù)載與重負(fù)載下的優(yōu)化效率
  • 可選 600kHz 或者1MHz 開關(guān)頻率
  • 可選過流限制 (OCL)
  • 過壓、過熱和斷續(xù)欠壓保護
  • 可調(diào)輸出電壓范圍為 0.45V 至 2V
  • 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝

應(yīng)用

  • 用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存儲器終端穩(wěn)壓器
  • VTT 終止
  • 用于 0.9V 至 6V 輸入電源軌的低電壓應(yīng)用

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 采用 TI 專有的集成金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和封裝技術(shù)
  • 支持 DDR 內(nèi)存終止，具有高達 6A 的持續(xù)輸出源電流或者吸收電流
  • 外部跟蹤
  • 最少的外部組件數(shù)
  • 0.9V 至 6V 轉(zhuǎn)換電壓
  • D-CAP+ 模式架構(gòu)
  • 支持所有多層片式陶瓷輸出電容器和 SP/POSCAP
  • 可選跳躍 (SKIP) 模式或者強制 CCM
  • 輕量級負(fù)載與重負(fù)載下的優(yōu)化效率
  • 可選 600kHz 或者1MHz 開關(guān)頻率
  • 可選過流限制 (OCL)
  • 過壓、過熱和斷續(xù)欠壓保護
  • 可調(diào)輸出電壓范圍為 0.45V 至 2V
  • 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝

應(yīng)用

  • 用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存儲器終端穩(wěn)壓器
  • VTT 終止
  • 用于 0.9V 至 6V 輸入電源軌的低電壓應(yīng)用

All trademarks are the property of their respective owners.

TPS53317A 器件是一款設(shè)計為主要用于 DDR 終端的集成場效應(yīng)晶體管 (FET) 同步降壓穩(wěn)壓器。 它能夠提供一個值為 ½ VDDQ的經(jīng)穩(wěn)壓輸出，此輸出具有吸收電流和源電流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 運行模式，簡單易用，所需外部組件數(shù)較少并可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)。 該器件還可用于其他電流要求高達 6A 的負(fù)載點 (POL) 穩(wěn)壓應(yīng)用。此外，該器件支持具有嚴(yán)格電壓調(diào)節(jié)功能的 6A 完整灌電流輸出。

該器件具有兩種開關(guān)頻率設(shè)定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成壓降支持、外部跟蹤功能、預(yù)偏置啟動、輸出軟放電、集成自舉開關(guān)、電源正常功能、V5IN 引腳欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 電容。 該器件支持的輸入電壓最高可達 6V，而輸出電壓在 0.45V 至 2.0V 范圍內(nèi)可調(diào)。

TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝（綠色環(huán)保，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)并且無鉛），其中應(yīng)用了 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術(shù)，其額定運行溫度范圍為 –40°C 至 85°C。

TPS53317A 器件是一款設(shè)計為主要用于 DDR 終端的集成場效應(yīng)晶體管 (FET) 同步降壓穩(wěn)壓器。 它能夠提供一個值為 ½ VDDQ的經(jīng)穩(wěn)壓輸出，此輸出具有吸收電流和源電流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 運行模式，簡單易用，所需外部組件數(shù)較少并可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)。 該器件還可用于其他電流要求高達 6A 的負(fù)載點 (POL) 穩(wěn)壓應(yīng)用。此外，該器件支持具有嚴(yán)格電壓調(diào)節(jié)功能的 6A 完整灌電流輸出。

該器件具有兩種開關(guān)頻率設(shè)定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成壓降支持、外部跟蹤功能、預(yù)偏置啟動、輸出軟放電、集成自舉開關(guān)、電源正常功能、V5IN 引腳欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 電容。 該器件支持的輸入電壓最高可達 6V，而輸出電壓在 0.45V 至 2.0V 范圍內(nèi)可調(diào)。

TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝（綠色環(huán)保，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)并且無鉛），其中應(yīng)用了 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術(shù)，其額定運行溫度范圍為 –40°C 至 85°C。
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技術(shù)文檔

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類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出、D-CAP+ 模式、同步降壓集成 FET 轉(zhuǎn)換器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2015年 12月 22日
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技術(shù)文章 Voltage regulator features – inside the black box PDF | HTML 2016年 5月 31日
技術(shù)文章 Simplifying loop compensation and poles and zeros calculations PDF | HTML 2016年 3月 18日
EVM 用戶指南 Using the TPS53317AEVM-726 2015年 11月 18日

設(shè)計和開發(fā)

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評估板

TPS53317AEVM-726 — 針對 TPS53317A 用于 DDR VTT 的同步降壓轉(zhuǎn)換器的評估模塊

TPS53317AEVM-726 旨在演示 TPS53317A 在典型的低電壓應(yīng)用中模擬 DDR4 環(huán)境，并提供用于評估 TPS53317A 性能的許多測試點。TPS53317AEVM-726 使用 1.2V 電壓軌，可在高達 6A 的負(fù)載電流下產(chǎn)生 0.6V 的穩(wěn)壓輸出。

用戶指南: PDF
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

TPS53317A PSpice Transient Model

SLUM499.ZIP (130 KB) - PSpice Model
下載
參考設(shè)計

PMP11399 — 針對企業(yè)級以太網(wǎng)交換機的 PMBus 電源系統(tǒng)參考設(shè)計

PMP11399 是一套完整的 PMBus 電源系統(tǒng)，適用于高性能以太網(wǎng)交換機中常見的 3 個 ASIC/FPGA 內(nèi)核、DDR3 內(nèi)核內(nèi)存、VTT 端接電壓及輔助電壓供電。該硬件配套提供 GUI，用戶可通過其對電源進行實時配置和監(jiān)控。
測試報告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (RGB) 20 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。

支持和培訓(xùn)

視頻