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TPS51716

正在供貨

全套 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO

產(chǎn)品詳情

Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.6 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.6 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
WQFN (RUK) 20 9 mm2 3 x 3
  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 轉(zhuǎn)換電壓范圍:3V 至 28V
    • 輸出電壓范圍:0.7V 至 1.8V
    • 0.8% VREF精度
    • D-CAP2?針對陶瓷輸出電容器的模式
    • 可選 500kHz/670kHz 開關(guān)頻率
    • 自動跳頻功能優(yōu)化了輕負(fù)載和重負(fù)載時的效率
    • 支持 S4/S5 狀態(tài)中的軟啟動
    • 過流 (OCL) / 過壓 (OVP) / 欠壓 (UVP) / 欠壓閉鎖 (UVLO) 保護(hù)
    • 電源正常輸出
  • 2A LDO (VTT)、緩沖基準(zhǔn) (VTTREF)
    • 2A(峰值)灌電流和拉電流
    • 只需 10μF 陶瓷輸出電容器
    • 經(jīng)緩沖的,低噪聲,10mA VTTREF 輸出
    • 0.8% VTTREF,20mV VTT 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持軟關(guān)閉
  • 熱關(guān)斷
  • 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝
  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 轉(zhuǎn)換電壓范圍:3V 至 28V
    • 輸出電壓范圍:0.7V 至 1.8V
    • 0.8% VREF精度
    • D-CAP2?針對陶瓷輸出電容器的模式
    • 可選 500kHz/670kHz 開關(guān)頻率
    • 自動跳頻功能優(yōu)化了輕負(fù)載和重負(fù)載時的效率
    • 支持 S4/S5 狀態(tài)中的軟啟動
    • 過流 (OCL) / 過壓 (OVP) / 欠壓 (UVP) / 欠壓閉鎖 (UVLO) 保護(hù)
    • 電源正常輸出
  • 2A LDO (VTT)、緩沖基準(zhǔn) (VTTREF)
    • 2A(峰值)灌電流和拉電流
    • 只需 10μF 陶瓷輸出電容器
    • 經(jīng)緩沖的,低噪聲,10mA VTTREF 輸出
    • 0.8% VTTREF,20mV VTT 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持軟關(guān)閉
  • 熱關(guān)斷
  • 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝

TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個用于 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)的完整電源。它將同步降壓穩(wěn)壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF) 相集成。TPS51716 采用融合了 500kHz 或 670kHz 工作頻率的 D-CAP2 模式,此模式可在無需外部補(bǔ)償電路的情況下支持陶瓷輸出電容器。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達(dá) 0.8%。能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT ,而且只需 10µF 的陶瓷電容。此外,該器件還 具有 專用 LDO 電源輸入。

TPS51716 提供豐富、實(shí)用的功能以及出色的電源性能。它支持靈活功率級控制,將 VTT 置于 S3 中的高阻抗?fàn)顟B(tài)并在 S4/S5 狀態(tài)中將 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放電(軟關(guān)閉)。它包括具有低側(cè) MOSFET RDS(接通)感測的可編程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和熱關(guān)斷保護(hù)。

TI 的 TPS51716 采用 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝,且其額定環(huán)境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。

TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個用于 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)的完整電源。它將同步降壓穩(wěn)壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF) 相集成。TPS51716 采用融合了 500kHz 或 670kHz 工作頻率的 D-CAP2 模式,此模式可在無需外部補(bǔ)償電路的情況下支持陶瓷輸出電容器。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達(dá) 0.8%。能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT ,而且只需 10µF 的陶瓷電容。此外,該器件還 具有 專用 LDO 電源輸入。

TPS51716 提供豐富、實(shí)用的功能以及出色的電源性能。它支持靈活功率級控制,將 VTT 置于 S3 中的高阻抗?fàn)顟B(tài)并在 S4/S5 狀態(tài)中將 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放電(軟關(guān)閉)。它包括具有低側(cè) MOSFET RDS(接通)感測的可編程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和熱關(guān)斷保護(hù)。

TI 的 TPS51716 采用 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝,且其額定環(huán)境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。

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技術(shù)文檔

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類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 具有同步降壓控制器、2A LDO 和緩沖基準(zhǔn)的 TPS51716 完整 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存電源解決方案 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2017年 11月 2日
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選擇指南 電源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日

設(shè)計和開發(fā)

電源解決方案

了解包含 TPS51716 的解決方案。TI 提供適用于 TI 和非 TI 片上系統(tǒng) (SoC)、處理器、微控制器、傳感器和現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 的電源解決方案。

仿真模型

TPS51716 PSpice Transient Model

SLUM340.ZIP (78 KB) - PSpice Model
參考設(shè)計

PMP10029 — 參考設(shè)計 - 面向工業(yè) PC 的 5V 輸入、10A 負(fù)載 DDR3/DDR4 電源

此參考設(shè)計展示了適用于 DDR3 和 DDR4 存儲器的通用電源解決方案。同步降壓轉(zhuǎn)換器為 DDR3L 配置中的 9A 負(fù)載提供 1.35V 輸出電壓。線性穩(wěn)壓器提供為 2A 負(fù)載提供 0.675V 的第二個電壓。
測試報告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WQFN (RUK) 20 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息:
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。

支持和培訓(xùn)

視頻