TPS51386
- 4.5V 至 24V 輸入電壓范圍
- 0.6V 至 5.5V 輸出電壓范圍
- 集成式 22mΩ 和 11mΩ MOSFET
- 支持 8A 持續(xù) I OUT
- 84μA 低靜態(tài)電流
- 25°C 時(shí)基準(zhǔn)電壓 (0.6V) 精度為 ±1%
- 在 –40°C 至 125°C 溫度范圍內(nèi)基準(zhǔn)電壓 (0.6V) 精度為 ±1.5%
- 600kHz 開關(guān)頻率
- D-CAP3? 控制模式,用于快速瞬態(tài)響應(yīng)
- 支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸出電容器
- 可調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)和內(nèi)部 1ms 軟啟動(dòng)
- 具有在輕負(fù)載條件下可選的 PSM 和 Out-of-Audio? (OOA) 模式,支持動(dòng)態(tài)更改
- 支持大負(fù)荷運(yùn)行
- 電源正常狀態(tài)指示器,可監(jiān)測輸出電壓
- 鎖存輸出 OV 和 UV 保護(hù)
- 非鎖存 UVLO 和 OT 保護(hù)
- 逐周期過流保護(hù)
- 內(nèi)置輸出放電功能
- 小型 2.00mm × 3.00mm HotRod? QFN 封裝
TPS51386 是具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3 控制模式的單片 8A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件集成了低 R DS(on) 功率 MOSFET,因此簡單易用且高效,具有極少的外部元件,適用于空間受限的電源系統(tǒng)。其特性包括精確的基準(zhǔn)電壓、快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)、用于提高輕負(fù)載效率的自動(dòng)跳躍模式運(yùn)行、開關(guān)頻率大于 25kHz 的 OOA 輕負(fù)載運(yùn)行、具有良好線路和負(fù)載調(diào)節(jié)的 D-CAP3 控制模式,并且無需外部補(bǔ)償。
TPS51386 提供 OVP、UVP、OCP、OTP 和 UVLO 的全面保護(hù)。該器件結(jié)合了電源正常信號(hào)和輸出放電功能。
TPS51386 同時(shí)支持內(nèi)部和外部軟啟動(dòng)時(shí)間選項(xiàng)。該器件具有 1ms 的內(nèi)部固定軟啟動(dòng)時(shí)間。如果應(yīng)用需要更長的軟啟動(dòng)時(shí)間,則可以使用外部 SS 引腳,通過連接外部電容器來實(shí)現(xiàn)更長的軟啟動(dòng)時(shí)間。
TPS51386 采用熱增強(qiáng)型 12 引腳 QFN 封裝,并且額定結(jié)溫范圍為 -40°C 至 125°C。
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功能與比較器件相同,且具有相同引腳
技術(shù)文檔
| 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | TPS51386 具有鎖存 OVP/UVP、可調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)以及 PSM/OOA 模式的 4.5V 至 24V 輸入、8A 同步降壓轉(zhuǎn)換器 數(shù)據(jù)表 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2022年 6月 8日 |
| 應(yīng)用手冊 | D-CAP2 and D-CAP3 Loop Analysis With Hybrid Output Capacitors. | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 1月 2日 | |
| EVM 用戶指南 | TPS51386 降壓轉(zhuǎn)換器評估模塊 (Rev. B) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023年 9月 5日 | |
| 應(yīng)用手冊 | 適用于筆記本計(jì)算應(yīng)用中 Raptor Lake 處理器的非隔離式直流/ 直流設(shè)計(jì) | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2023年 8月 17日 | |
| 證書 | TPS51386EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2022年 8月 18日 |
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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TPS51386EVM — 4.5V 至 24V 輸入、8A 同步降壓轉(zhuǎn)換器評估模塊
TPS51386 是一款需要較少外部元件的單通道、D-CAP3? 模式同步降壓轉(zhuǎn)換器。TPS51386 提供 0.6V 至 5.5V 可調(diào)節(jié)電壓以及 8A 最大輸出電流。該器件集成了低 RDS(ON) 功率 MOSFET,因此簡單易用且高效,具有極少的外部元件,適用于空間受限的電源系統(tǒng)。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN-HR (RJN) | 12 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
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