TPS51362
- 輸入電壓范圍：3V 至 22V
- 輸出電壓范圍：0.6V 至 2V
- 10A 集成 FET 轉(zhuǎn)換器
- 最少的外部組件數(shù)量
- ULQ?-100 模式運(yùn)行以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)待機(jī)期間的長電池使用壽命
- 軟啟動(dòng)時(shí)間可由外部電容器設(shè)定
- 開關(guān)頻率：800kHz
- D-CAP2? 架構(gòu)以實(shí)現(xiàn)高分子有機(jī)半導(dǎo)體固體電容器 (POSCAP) 和所有多層陶瓷電容 (MLCC) 輸出電容器的使用
- 用于精確過流限制 (OCL) 保護(hù)的集成且支持溫度補(bǔ)償?shù)牡蛡?cè)導(dǎo)通電阻感測(cè)
- 電源良好輸出
OCL，過壓保護(hù) (OVP)，欠壓保護(hù) (UVP) 和欠壓閉鎖 (UVLO) 保護(hù) - 熱關(guān)斷（非鎖存）
- 輸出放電功能
- 集成升壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 開關(guān)
- 焊球間距 0.4mm，高度 1mm 的 28 引腳，3.5mm x 4.5mm，RVE，四方扁平無引線 (QFN) 封裝
TPS51362 是一款高壓輸入、同步轉(zhuǎn)換器，此轉(zhuǎn)換器帶有集成的 FET，它基于 DCAP-2 控制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)并支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸出電容器。 與 TI 領(lǐng)先的封裝技術(shù)組合在一起，TI 專有的 FET 技術(shù)為諸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 筆記本內(nèi)存的單輸出電源軌或者廣泛應(yīng)用中的任何負(fù)載點(diǎn) (POL) 提供最高密度的解決方案。
TPS51362 的主要特性是其 ULQ™-100 模式以實(shí)現(xiàn)低偏置電流（低功率模式下為 100µA，由 LP# 啟用）。 這個(gè)特性對(duì)于延長系統(tǒng)待機(jī)模式中的電池使用壽命非常有幫助。
此特性集包括 800kHz 的開關(guān)頻率。 可由一個(gè)外部電容器設(shè)定的軟啟動(dòng)時(shí)間。自動(dòng)跳躍、預(yù)偏置啟動(dòng)、集成引導(dǎo)加載開關(guān)、電源良好、使能和一整套的故障保護(hù)機(jī)制，其中包括 OCL，UVP，OVP 5V UVLO 和熱關(guān)斷。
它采用 3.5mm x 4.5mm，焊球間距 0.4mm，28 引腳 QFN (RVE) 封裝，額定運(yùn)行溫度范圍為 -10°C 至 85°C。
技術(shù)文檔
| 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | 具有超低靜態(tài) ( ULQ?) 的22V 輸入，10A 集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 轉(zhuǎn)換器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2013年 7月 2日 | |
| 選擇指南 | 電源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||||
| 選擇指南 | 電源管理指南 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 |
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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TPS51362 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. A)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN-CLIP (RVE) | 28 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。