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TPS2411

正在供貨

0.8V 至 16.5V、1.2A IQ、293uA Igate 拉電流、N+1 和 OR-ing 電源軌控制器

產(chǎn)品詳情

Vin (max) (V) 16.5 Vin (min) (V) 0.8 FET External single FET Device type ORing controller Number of channels 1 Rating Catalog Features Gate ON/OFF control, Input filter, MUX control, Power good signal, Reverse current blocking Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 1.2 Iq (max) (mA) 7 IGate source (typ) (μA) 293 IGate source (max) (μA) 350 IGate sink (typ) (mA) 5 IGate pulsed (typ) (A) 2.35 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Design support EVM, Reference Design VGS (max) (V) 11.5 Product type ORing controller
Vin (max) (V) 16.5 Vin (min) (V) 0.8 FET External single FET Device type ORing controller Number of channels 1 Rating Catalog Features Gate ON/OFF control, Input filter, MUX control, Power good signal, Reverse current blocking Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 1.2 Iq (max) (mA) 7 IGate source (typ) (μA) 293 IGate source (max) (μA) 350 IGate sink (typ) (mA) 5 IGate pulsed (typ) (A) 2.35 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Design support EVM, Reference Design VGS (max) (V) 11.5 Product type ORing controller
TSSOP (PW) 14 32 mm2 5 x 6.4 UQFN (RMS) 14 6.25 mm2 2.5 x 2.5
  • 可控制用于 N+1 和 ORing 的外部 FET
  • 3V 至 16.5V 的寬電源電壓范圍
  • 控制總線電壓范圍為 0.8V 至 16.5V
  • 線性或開(kāi)/關(guān)控制方法
  • 適用于 N 溝道 MOSFET 的內(nèi)部電荷泵
  • 快速器件關(guān)斷功能可保護(hù)總線完整性
  • 在熱插入時(shí)進(jìn)行主動(dòng)?xùn)艠O控制
  • 軟啟動(dòng)可降低總線瞬變
  • 輸入電壓監(jiān)控
  • 短路柵極監(jiān)控器
  • MOSFET 控制狀態(tài)指示燈
  • 工業(yè)溫度范圍：–40°C 至 85°C
  • 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 14 引腳 TSSOP 封裝
  • 可控制用于 N+1 和 ORing 的外部 FET
  • 3V 至 16.5V 的寬電源電壓范圍
  • 控制總線電壓范圍為 0.8V 至 16.5V
  • 線性或開(kāi)/關(guān)控制方法
  • 適用于 N 溝道 MOSFET 的內(nèi)部電荷泵
  • 快速器件關(guān)斷功能可保護(hù)總線完整性
  • 在熱插入時(shí)進(jìn)行主動(dòng)?xùn)艠O控制
  • 軟啟動(dòng)可降低總線瞬變
  • 輸入電壓監(jiān)控
  • 短路柵極監(jiān)控器
  • MOSFET 控制狀態(tài)指示燈
  • 工業(yè)溫度范圍：–40°C 至 85°C
  • 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 14 引腳 TSSOP 封裝

TPS241x 控制器與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用，可模擬低正向電壓二極管的功能。該器件可以用于將多電源與 N+1 配置中的公共總線相結(jié)合，或?qū)⑷哂噍斎腚娫纯偩€進(jìn)行結(jié)合。TPS2410 可提供線性啟動(dòng)控制功能，而 TPS2411 具有開(kāi)/關(guān)控制方法。

適用于 TPS2410x 的應(yīng)用包括服務(wù)器和電信系統(tǒng)等各種系統(tǒng)。這些 應(yīng)用 通常具有 N+1 冗余電源或冗余電源總線，或二者兼?zhèn)?。在故障和熱插拔期間，這些冗余電源必須具有等效二極管 OR 來(lái)防止產(chǎn)生反向電流。相比于肖特基二極管，TPS241x 和 N 溝道 MOSFET 能夠以更小的功率損耗提供此功能。

精確電壓檢測(cè)、可編程快速關(guān)斷閾值和輸入濾波允許根據(jù)各種實(shí)施手段和總線特性量身定制運(yùn)行方式。

提供了許多監(jiān)控 功能 ，可用于指示電壓總線 UV/OV、開(kāi)/關(guān)狀態(tài)和短路 MOSFET 柵極。

TPS241x 控制器與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用，可模擬低正向電壓二極管的功能。該器件可以用于將多電源與 N+1 配置中的公共總線相結(jié)合，或?qū)⑷哂噍斎腚娫纯偩€進(jìn)行結(jié)合。TPS2410 可提供線性啟動(dòng)控制功能，而 TPS2411 具有開(kāi)/關(guān)控制方法。

適用于 TPS2410x 的應(yīng)用包括服務(wù)器和電信系統(tǒng)等各種系統(tǒng)。這些 應(yīng)用 通常具有 N+1 冗余電源或冗余電源總線，或二者兼?zhèn)?。在故障和熱插拔期間，這些冗余電源必須具有等效二極管 OR 來(lái)防止產(chǎn)生反向電流。相比于肖特基二極管，TPS241x 和 N 溝道 MOSFET 能夠以更小的功率損耗提供此功能。

精確電壓檢測(cè)、可編程快速關(guān)斷閾值和輸入濾波允許根據(jù)各種實(shí)施手段和總線特性量身定制運(yùn)行方式。

提供了許多監(jiān)控 功能 ，可用于指示電壓總線 UV/OV、開(kāi)/關(guān)狀態(tài)和短路 MOSFET 柵極。
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設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)

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評(píng)估板

TPS2410EVM — TPS2410 評(píng)估模塊

TPS2410EVM 評(píng)估模塊旨在對(duì)兩個(gè)電源進(jìn)行線或，以便為負(fù)載實(shí)現(xiàn)冗余電源（使用兩個(gè) TPS2410 和 MOSFET）。

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評(píng)估板

TPS2411EVM-096 — TPS2411 ORing 控制器評(píng)估模塊

TPS2411EVM-096 可對(duì) TI 的 TPS2411 ORing 控制器器件進(jìn)行基準(zhǔn)電路評(píng)估。TPS2411 器件可對(duì)典型 ORing 應(yīng)用中的外部 N 溝道 MOSFET 進(jìn)行控制，還可用于控制兩個(gè)背對(duì)背連接的 MOSFET，從而支持過(guò)壓和欠壓保護(hù)。
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模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評(píng)估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫(kù)之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫(kù)，您可對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案，然后再進(jìn)行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并降低開(kāi)發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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參考設(shè)計(jì)

PMP23126 — 具有有源鉗位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全橋參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)是基于 GaN 的 3kW 相移全橋 (PSFB)，旨在實(shí)現(xiàn)最大的功率密度。該設(shè)計(jì)具有一個(gè)有源鉗位，可盡可能地減小次級(jí)同步整流器 MOSFET 的電壓應(yīng)力，以使用具有更好品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的額定電壓較低的 MOSFET。PMP23126 在初級(jí)側(cè)使用我們的 30mΩ GaN，在次級(jí)側(cè)使用硅 MOSFET。與 Si MOSFET 相比，LMG3522 頂部冷卻 GaN 集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可在更寬的工作范圍內(nèi)保持 ZVS，從而實(shí)現(xiàn)更高的效率。PSFB 以 100kHz 的頻率運(yùn)行，可實(shí)現(xiàn) 97.74% 的峰值效率。
測(cè)試報(bào)告: PDF
參考設(shè)計(jì)

PMP41081 — 使用 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器的 1kW、12V HHC LLC 參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)是一款使用 F280039C 微控制器的 1kW、400V 至 12V 半橋諧振直流/直流平臺(tái)，用于評(píng)估混合遲滯控制 (HHC) 的負(fù)載瞬態(tài)性能。HHC 是一種整合了直接頻率控制 (DFC) 和電荷控制的控制方法，通過(guò)添加頻率補(bǔ)償斜坡來(lái)控制電荷。借助額外的內(nèi)部環(huán)路，HHC 可以提高電感器-電感器-電容器 (LLC) 級(jí)的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能。
測(cè)試報(bào)告: PDF
參考設(shè)計(jì)

PMP40586 — 1kW 數(shù)字控制電流模式 LLC 參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)是行業(yè)先進(jìn)的數(shù)字混合遲滯控制 (HHC) 解決方案，適用于具有 12V 至 54V 輸出的服務(wù)器 PSU 應(yīng)用。此參考設(shè)計(jì)展示了 UCD3138 在 400V 至 12V 1kW LLC 功率級(jí)中實(shí)現(xiàn)的 HHC 控制優(yōu)勢(shì)。此設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn) 8kHz 峰值環(huán)路帶寬。它在 0% 至 100% 負(fù)載轉(zhuǎn)換和 2.5A/us 壓擺率下保持小于 500mV 的峰峰值偏差，在 0% 至 150% 負(fù)載轉(zhuǎn)換和 2.5A/us 壓擺率下保持小于 800mV 的峰峰值偏差。
測(cè)試報(bào)告: PDF
參考設(shè)計(jì)

TIDA-00412 — 360W 數(shù)控相移全橋轉(zhuǎn)換器

此直流-直流電源轉(zhuǎn)換器采用 UCD3138CC64EVM-030 子卡實(shí)現(xiàn)數(shù)字控制功能。該子卡具有預(yù)加載的固件，為相移全橋轉(zhuǎn)換器提供所需的控制功能。TIDA-00412 (UCD3138PSFBEVM-027) 接受 370 至 400VDC 的直流輸入，并輸出典型的 12VDC 電壓，而其滿載輸出功率為 360W，最大輸出電流為 30A。
原理圖: PDF
參考設(shè)計(jì)

TIDA-00381 — 具有高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的 360W 相移全橋諧振 LLC

該電源采用全橋諧振 LLC，在斜升、輕載、低輸出電壓時(shí)進(jìn)行相移。這種運(yùn)行模式可以替代 LLC 中的 PWM 運(yùn)行模式，從而在輕載應(yīng)用中顯著提高效率。
測(cè)試報(bào)告: PDF
原理圖: PDF
參考設(shè)計(jì)

TIDA-00512 — 340W 數(shù)控 LLC 諧振半橋 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換參考設(shè)計(jì)

此設(shè)計(jì)是一種 LLC 諧振半橋直流-直流功率轉(zhuǎn)換器，具有采用 3138ACC32EVM-149 子卡的數(shù)字控制功能。子卡控制功能同預(yù)加載的固件協(xié)作，為 LLC 諧振半橋轉(zhuǎn)換器提供必要的控制功能。TIDA-00512 (3138ALLCEVM-150) 接受 350VDC 至 400VDC 的直流輸入，并輸出額定 12VDC，其中滿載輸出功率為 340W 或最大輸出電流為 29A。
測(cè)試報(bào)告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
UQFN (RMS) 14 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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