產(chǎn)品詳情

Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 6500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.2 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 4 Clearance (min) (mm) 4
Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 6500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.2 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 4 Clearance (min) (mm) 4
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6
  • 提供功能安全
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:
    • 器件溫度等級 1:–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 滿足 VDA320 隔離要求
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵:
    • 在 1060VRMS 工作電壓下具有長工作壽命
    • 隔離等級高達 5000VRMS
    • CMTI 典型值為 ±150kV/μs
  • 寬電源電壓范圍:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認輸出高電平 (ISO672x-Q1) 和低電平 (ISO672xF-Q1) 選項
  • 1Mbps 時的每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲:11ns(典型值)
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 在整個隔離柵具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電保護
    • 低干擾 (EMI)
  • 窄 SOIC (D-8) 和寬 SOIC (DWV-8) 封裝
  • 安全相關認證:
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 組件認證計劃
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1
    • GB 4943.1-2011
  • 提供功能安全
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:
    • 器件溫度等級 1:–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 滿足 VDA320 隔離要求
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵:
    • 在 1060VRMS 工作電壓下具有長工作壽命
    • 隔離等級高達 5000VRMS
    • CMTI 典型值為 ±150kV/μs
  • 寬電源電壓范圍:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認輸出高電平 (ISO672x-Q1) 和低電平 (ISO672xF-Q1) 選項
  • 1Mbps 時的每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲:11ns(典型值)
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 在整個隔離柵具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電保護
    • 低干擾 (EMI)
  • 窄 SOIC (D-8) 和寬 SOIC (DWV-8) 封裝
  • 安全相關認證:
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 組件認證計劃
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1
    • GB 4943.1-2011

ISO672x-Q1 器件是高性能雙通道數(shù)字隔離器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DWV 封裝)和 3000VRMS(D 封裝)隔離額定值,非常適合具有此類需求的成本敏感型應用。這些器件還通過了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 認證。

在隔離 CMOS 或 LVCMOS 數(shù)字 I/O 的同時, ISO672x-Q1 器件可提供高電磁抗擾度和低輻射,同時具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。 ISO6720-Q1 器件具有 2 條同向隔離通道。 ISO6721-Q1 器件具有 2 條反向隔離通道。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失,不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平,帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。更多詳細信息,請參見器件功能模式部分。

ISO672x-Q1 器件是高性能雙通道數(shù)字隔離器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DWV 封裝)和 3000VRMS(D 封裝)隔離額定值,非常適合具有此類需求的成本敏感型應用。這些器件還通過了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 認證。

在隔離 CMOS 或 LVCMOS 數(shù)字 I/O 的同時, ISO672x-Q1 器件可提供高電磁抗擾度和低輻射,同時具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。 ISO6720-Q1 器件具有 2 條同向隔離通道。 ISO6721-Q1 器件具有 2 條反向隔離通道。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失,不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平,帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。更多詳細信息,請參見器件功能模式部分。

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類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 ISO672x-Q1 EMC 性能優(yōu)異的通用增強型和基礎型雙通道汽車類數(shù)字隔離器 數(shù)據(jù)表 (Rev. H) PDF | HTML 英語版 (Rev.H) PDF | HTML 2022年 6月 2日
證書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025年 9月 8日
證書 VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025年 8月 20日
證書 CQC Certificate for ISOxxD (Rev. B) 2025年 8月 19日
證書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025年 8月 15日
證書 CSA Certificate for ISO6721RxD (Rev. A) 2023年 2月 15日
應用手冊 所選封裝材料的熱學和電學性質(zhì) 2008年 10月 16日

設計和開發(fā)

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SOIC (D) 8 Ultra Librarian

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  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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