計算工具
BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR — Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver
Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
DRV8350F
- 9V 至 100V 三半橋柵極驅動器
- 可選的三個低側電流分流放大器
- 功能安全質量管理型
- 可提供有助于進行 IEC 61800-5-2 功能安全系統(tǒng)設計的文檔
- 智能柵極驅動架構
- 可調壓擺率控制，可優(yōu)化 EMI 性能
- VGS 握手和最小死區(qū)時間插入，可避免發(fā)生擊穿
- 50mA 至 1A 峰值拉電流
- 100mA 至 2A 峰值灌電流
- 通過強下拉能力減小 dV/dt
- 集成柵極驅動器電源
- 高側倍增電荷泵可實現 100% PWM 占空比控制
- 低側線性穩(wěn)壓器
- 集成三個電流分流放大器
- 可調增益（5、10、20、40 V/V）
- 雙向或單向支持
- 6x、3x、1x 和獨立 PWM 模式
- 支持 120° 有傳感器運行
- 提供 SPI 或硬件接口
- 低功耗睡眠模式（VVM = 48V 時為 20μA）
- 集成保護特性
- VM 欠壓鎖定 (UVLO)
- 柵極驅動電源欠壓 (GDUV)
- MOSFET VDS 過流保護 (OCP)
- MOSFET 擊穿保護
- 柵極驅動器故障 (GDF)
- 熱警告和熱關斷 (OTW/OTSD)
- 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT)
DRV835xF 系列器件均為高度集成的柵極驅動器，適用于三相無刷直流 (BLDC) 電機應用。這些器件型號提供了可選的集成式分流放大器以支持不同的電機控制方案。
DRV835xF 通過采用智能柵極驅動 (SGD) 架構減少了 MOSFET 壓擺率控制和保護電路通常所需要的外部元件數量。SGD 架構還可優(yōu)化死區(qū)時間以防止擊穿問題，在通過 MOSFET 壓擺率控制技術降低電磁干擾 (EMI) 方面帶來了靈活性，并可通過 VGS 監(jiān)控器防止柵極短路問題。強大的柵極下拉電路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生柵極開啟事件。
該系列器件支持各種 PWM 控制模式（6x、3x、1x 和獨立模式），可簡化與外部控制器的連接。這些模式可減少電機驅動器 PWM 控制信號所需的控制器輸出數量。該系列器件還包括 1x PWM 模式，因此可通過內部阻塞換向表輕松對 BLDC 電機進行傳感器式梯形控制。
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設計和開發(fā)
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評估板
DRV8350H-EVM — DRV8350H 三相智能柵極驅動器評估模塊
DRV8350H-EVM 是基于 DRV8350H 柵極驅動器和 CSD19532Q5B NexFET? 電源塊的 15A 三相無刷直流驅動級。
該模塊具有獨立的直流母線和相電壓感應以及獨立式外部低側電流分流放大器，因此該評估模塊非常適合無傳感器 BLDC 算法。? 該模塊借助 12 V 0.35A 降壓穩(wěn)壓器為 MCU 提供 3.3V 和 5V 電源塊。? 可以在雙軌和單軌電源解決方案中配置該驅動器。該驅動級具有 IDRIVE 配置和故障引腳，還可以通過可配置硬件防止出現短路、過熱，擊穿和欠壓等狀況。該 EVM 具有完整的 USB 到 MCU 環(huán)境，可通過可用的梯形驅動器固件和 GUI 對 (...)
用戶指南: PDF
評估板
DRV8350S-EVM — DRV8350S 三相智能柵極驅動器評估模塊
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| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WQFN (RTV) | 32 | Ultra Librarian |
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