TPS25984EVM 提供了一個(gè)附加電路，以促進(jìn)負(fù)載瞬態(tài)和持續(xù)過(guò)流事件。該實(shí)施由三 (3) 個(gè)低側(cè) MOSFET（Q4、Q5 和 Q6）和一個(gè)單穩(wěn)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)器電路（U4 和 U5）以及六 (6) 個(gè)并聯(lián)的 1Ω 板載負(fù)載電阻器（R16 至 R21）組成。使用單極單投 (SPST) 開關(guān) (S1)，單脈沖柵極驅(qū)動(dòng)器生成持續(xù)時(shí)間為 1ms、2ms、5ms、10ms 和 20ms 的柵極信號(hào)。通過(guò)執(zhí)行此操作，低側(cè) MOSFET（Q4、Q5 和 Q6）在特定的持續(xù)時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通，除了穩(wěn)態(tài)負(fù)載外，還會(huì)產(chǎn)生負(fù)載瞬態(tài)。使用此板載開關(guān)電路，按照以下說(shuō)明應(yīng)用負(fù)載瞬態(tài)或持續(xù)過(guò)流事件：

1. 根據(jù)6 將跳線 J3 置于合適的位置，獲得所需的過(guò)流消隱期 (t_TIMER)。
2. 將跳線 J6 位置配置為過(guò)流保護(hù)和有源電流共享所需的基準(zhǔn)電壓，如6 所述。
3. 根據(jù)6 將跳線 J4 置于可接受的位置，設(shè)置所需的斷路器閾值 (I_OCP)。
4. 將輸入電源電壓設(shè)置為 12V，將電流限制設(shè)置為 200A。
5. 在 VIN（連接器 T1）和 PGND（連接器 T3）之間連接電源，然后啟用電源。
6. 在 VOUT（連接器 T2）和 PGND（連接器 T3）之間施加穩(wěn)態(tài)負(fù)載。
7. 使用單極單投 (SPST) 開關(guān) (S1) 配置瞬態(tài)負(fù)載導(dǎo)通持續(xù)時(shí)間。
8. 按下開關(guān) SW3 以打開 Q5、Q6 和 Q7 MOSFET，這會(huì)在 VOUT 和 PGND 之間產(chǎn)生 72A（典型值）的負(fù)載瞬態(tài)，輸出為 12V。
9. 使用示波器觀察 VOUT (TP6)、MOSFET GATE (J9) 和輸入電流的波形。

另一種選擇是使用 TP26 和 TP27 之間連接的外部函數(shù)發(fā)生器應(yīng)用自定義負(fù)載瞬態(tài)，并將跳線 J9 的分流器設(shè)置為“2-3”。

圖 5-15 和圖 5-16 分別展示了使用板載開關(guān)電路時(shí)瞬態(tài)過(guò)載和持續(xù)過(guò)載事件的測(cè)試波形。