ZHCUAU0A january 2023 – april 2023 TPS7H3302-SEP
3.3.1 EVM 波特圖測量設(shè)置
EVM 波德圖測量的設(shè)置如下：
- 使用 Bode 100 環(huán)路分析儀或等效設(shè)備。
- 移除 J5 上的跳線，將 VDDQSNS 與 VLDOIN 隔離。要使用連接到單個 VDDQ 和 VDDQSNS 的 VLDOIN 進行測試，請使用可選濾波器。請參閱以下注意事項。
- 將振蕩器輸出連接到 R3=51Ω 電阻器兩端。將振蕩器輸出連接到 TP4 (VTTSNS)。
- 將分析儀的通道 2 連接到 TP5，并將地線連接到 TP2
- 將分析儀的通道 1 連接到 TP4，并將地線連接到 TP2。
- 為 EVM 提供 VLDOIN、VIN、VDDQSNS 和 VTT 負載所需的條件。
- 將 EVM 加載到所需負載后，在所需頻率范圍內(nèi)運行波特圖。
為驗證負載和額定工作溫度下的穩(wěn)定性，請在應(yīng)用電路中安裝四個 4.7uF 陶瓷輸出電容器。
注意： 所有提供的波特測量值 VDDQSNS 均由 VLDOIN 的獨立電源提供。如果 VDDQSNS 和 VLDOIN 輸入連接到同一電源，請使用 EVM 上的隔離濾波器將 VLDOIN 上的負載影響與 VDDQSNS 隔離開來?？梢酝ㄟ^更換 R4 和 C3 的組件來使用該濾波器。
圖 3-1 至圖 3-3 顯示了此 EVM 的波特圖。所有波特圖都使用 EVM 上填充的默認 CIN 和 COUT 電容生成。CIN = 150μF 鉭 // 5μF-10μF 陶瓷，COUT = 3μF-150μF 鉭 // 4μF-4.7μF 陶瓷。
圖 3-1 DDR3 波特圖 Iload = 500mA
圖 3-2 DDR3 波特圖 Iload = 1A
圖 3-3 DDR3 波特圖 Iload = 3ATI 建議 VLDOIN 和 VDDQSNS 相互隔離。如果無法隔離 VLDOIN 和 VDDQSNS，則在 VLDOIN 和 VDDQSNS 之間添加一個外部輸入濾波器。在 VLDOIN 和 VDDQSNS 之間添加 RC 濾波器會導致 VTT 和 VTTREF 對 VDDQSNS 的動態(tài)跟蹤丟失。