PoE 前端的布局必須遵循電源和 EMI 或 ESD 最佳實踐指導原則?；镜慕ㄗh包括：
- TI 建議至少在通過頂層平面（推薦 2oz 銅）到底部 VSS 平面（推薦 2oz 銅）連接外露散熱焊盤的 (PAD G) 上留 8 個過孔，且至少在 (PAD S) 上留 5 個過孔，這樣有助于散熱。
- 將初級 MOSFET 放置在電源變壓器附近，并且使電流感測電阻靠近 MOSFET 的源極，從而最大限度地縮短初級環(huán)路。對于次級 MOSFET 也是如此。使 MOSFET 靠近變壓器，并且使相關(guān)元件盡可能靠近，以最大限度地縮短環(huán)路。
- 必須以點對點的方式根據(jù)功率流動方向決定器件的放置：RJ-45、以太網(wǎng)變壓器、二極管電橋、TVS 和 0.1μF 電容器以及 TPS23734 轉(zhuǎn)換器輸入大容量電容器。
- 所有引線都應盡可能短，并采用寬電源跡線以及成對的信號與回路。
- 功率流中的部件間不允許存在任何信號交叉。
- 48V 輸入電壓軌之間的間隔以及輸入端與隔離轉(zhuǎn)換器輸出端之間的間隔必須符合 IEC60950 等安全標準。
- SMT 功耗器件上應使用大型銅填充物和跡線，而電源路徑中應使用較寬的跡線或覆銅填充物。
- 將 VSS 和 RTN 之間的肖特基二極管盡可能靠近 IC 放置，最好直接放置在電路板的背面（例如，TPS23734EVM-094 中的 IC 放置在頂層，因此要將二極管直接放在它下方的底層）。
直流/直流轉(zhuǎn)換器布局應參考以下基本規(guī)則：
- 在通過多層平面連接到 VDD 的電源變壓器附近至少留 4 個過孔 (VDD)，這樣有助于電源變壓器散熱。
- 將信號配對以減少輻射和噪音，特別是通過功率半導體和磁性材料傳遞大電流脈沖的路徑。
- 盡量縮短大電流功率半導體和磁性元件的跡線長度。
- 謹慎使用開關(guān)電流的接地層。
- 讓大電流和高電壓開關(guān)遠離低電平感測電路（包括電源以外的電路）。
- 在轉(zhuǎn)換器的高壓部分保持適當?shù)拈g距。