ZHCU937A april 2022 – june 2023 TPSI2140-Q1
1.3 說明
TPSI2140Q1EVM 是包含多個測試點和跳線的四銅層板，用于全面評估器件的功能。初級側由四個差分驅動器組成，為次級側的每個內(nèi)部 MOSFET 提供電力和使能邏輯信息。次級側的每個 MOSFET 都有專用的全橋整流器來形成本地電源。當使能引腳變?yōu)楦唠娖綍r，振蕩器啟動并且驅動器跨隔離柵輸送電力和邏輯高電平。TPSI2140-Q1 具有雪崩性能穩(wěn)健的 MOSFET 并且采用的 11 引腳 DWQ 封裝上的加寬引腳具有散熱優(yōu)勢，使其可以通過高壓（HiPot）篩選，并且無需任何外部保護元件即可承受高達 2mA 的直流快速充電器浪涌電流。
圖 1-1 TPSI2140-Q1 功能方框圖表 1-1 器件信息
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸（標稱值） |
|---|---|---|
| TPSI2140-Q1 | SOIC 11 引腳（DWQ） | 10.3mm × 7.5mm |