ZHCU891 May 2022 TPSI3050 , TPSI3050-Q1 , TPSI3052 , TPSI3052-Q1
TPSI3050-Q1 是一款完全集成的隔離式開關(guān)驅(qū)動器,與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時,可構(gòu)成完整的隔離式固態(tài)繼電器 (SSR) 解決方案。當(dāng)標(biāo)稱柵極驅(qū)動電壓為 10V、峰值拉電流和灌電流為 1.5/3.0A 時,可以選擇多種外部電源開關(guān)來滿足各種應(yīng)用。TPSI3050-Q1 可通過初級側(cè)電源自行產(chǎn)生次級偏置電源,因此無需隔離式次級偏置電源。而且,TPSI3050-Q1 可以有選擇性地向外部配套電路供電,以滿足不同的應(yīng)用需求。在三線模式下,3V 至 5.5V 的主電源由外部提供,開關(guān)通過單獨的使能控制。
TPSI3050-Q1 特性:
圖 2-2 固態(tài)繼電器電路對于初級側(cè),TPSI3050-Q1 設(shè)置為三線模式配置,以實現(xiàn)最高的可用功率傳輸。在 PXFR 引腳中使用具有 1% 容差的 20 kΩ 電阻器可提供最高的可用功率傳輸,并支持高達 50 mW 的 IAUX。建議將一個 1 uF 與一個 0.1 uF 的低 ESR 陶瓷電容并聯(lián)到 VDDP。
對于次級側(cè),需要正確選擇 CDIV1 (C3) 和 CDIV2 (C4) 電容來驅(qū)動背對背 MOSFET。如果 CDIV1 和 CDIV2 太小,則 VDDH 中的壓降將觸發(fā)欠壓鎖定 (UVLO) 并禁用驅(qū)動器。以下兩個公式可用于計算適當(dāng)?shù)碾娙葜怠?/p>
為本設(shè)計選擇的每個 MOSFET 的柵極電荷 (QG) 均為 31 nC。該設(shè)計使用背對背 MOSFET,因此總 QG 為 62 nC。如果 CDIV1 = CDIV2= CDIV,則必須選擇電容高于 124 nF 的 CDIV,以確保 VDDH 壓降小于 1V。使用此 Excel 計算器計算電容和電源傳輸選擇。本設(shè)計選擇了一個 1 uF 電容器,從而使 VDDH 壓降為 0.124V。