如 圖 2-4 中所示，需要在 XTR200 輸出端額外附加電路來實現(xiàn)與 M-CRPS 標準的兼容性。二極管 D1 和運算放大器 U3 形成一個鉗位電路，可防止輸出電壓（在二極管 D2 之后）超過 3.3V。如果 XTR200 的輸出電壓低于 U3 同相輸入端的鉗位電壓（原理圖中為 3.8V），則 U3 的輸出達到正電源飽和電壓，從而導致二極管 D1 處于反向偏置狀態(tài)。但是，如果 XTR200 的輸出超過鉗位電壓，則 U3 的輸出變?yōu)榈碗娖剑⑼ㄟ^ D1 灌入電流，以使兩個運算放大器輸入端的電壓相等。如果使用齊納二極管實現(xiàn)鉗位功能，請選擇低漏電流類型，避免影響監(jiān)測電流的精度。

二極管 D2 可防止在電路未通電時，反向電流流回電流監(jiān)測電路。M-CRPS 標準定義了在 85?C 和 12V 下，流入 IMON 引腳的漏電流需小于 500nA 的嚴格要求。因此，二極管 D1 和 D2 都是低漏電流類型，例如 BAS716。溫度每升高 10?C，二極管漏電流大約增加一倍。因此，若要使電路在 85?C 時的漏電流小于 500nA，那么在 25?C 時的漏電流必須小于 7.8nA。

晶體管 Q1 是 PJFET，可用于將 IMON 引腳拉至低電平以實現(xiàn)“在位”檢測。M-CRPS 標準建議，在 IMON 引腳的輸出端使用這個附加電路，以實現(xiàn)與舊系統(tǒng)的向后兼容。由于通過 Q1 的泄漏直接導致引腳輸出泄漏，因此必須使用低泄漏 PJFET（如 MMBFJ177）來優(yōu)化此功能。典型 NMOS 晶體管的關(guān)斷狀態(tài)泄漏過高，無法滿足該標準要求。