ZHCAFM2 August 2025 LM2904B
柵極耦合 NMOS (GCNMOS) 鉗位是吸收器件的另一種常見形式。NMOS 的柵極連接到 RC 觸發(fā)電路,該電路會(huì)在 ESD 事件期間被拉至高電平。通常情況下,電路的響應(yīng)時(shí)間小于 10ns。此類鉗位與有源鉗位有類似的優(yōu)缺點(diǎn),其中尺寸是主要考量因素,同時(shí)鉗位電壓也更低。
有源鉗位和 GCNMOS 鉗位都均為回彈保護(hù)結(jié)構(gòu)的形式。下一部分重點(diǎn)介紹其他形式的回彈 ESD 保護(hù)單元。