ZHCAEE6 September 2024 TPS23521 , TPS23523 , TPS23525
TPS2352x 具有兩個電流限制閾值,如圖 5-1 所示。這種雙級保護(hù)方案可確保器件在低 VDS 條件下具有較高的電流限值,因此更有可能安然度過電壓階躍和其他瞬態(tài),同時在高 VDS 條件下設(shè)置較低的電流限制閾值,因此在發(fā)生短路和熱短路事件期間為 MOSFET 提供保護(hù)。轉(zhuǎn)換閾值由熱插拔 FET 漏極與 TPS23521 D 引腳之間連接的電阻器 RD 進(jìn)行編程。
TPS23521 的柵極拉電流能力因運行區(qū)域而異。例如,在高電流限制模式 (VDS < VDS,SW) 下,柵極拉電流為 400μA,而在高 VDS 區(qū)域為 20μA。這種高柵極電流有助于快速導(dǎo)通/關(guān)斷外部 FET,從而在過壓條件下以遲滯模式可靠地運行??紤]到 NEBS 標(biāo)準(zhǔn) (圖 1-2) 的 75V 輸入瞬態(tài)峰值以及下游負(fù)載電壓不超過 62.5V 的要求,我們已將 VDS,SW 設(shè)置為大于 12.5V(例如 75V – 62.5V)。因此,可根據(jù)方程式 3 選擇電阻器 RD。