模式 2 是 Q₁ 關(guān)斷后且 Q₂ 仍保持關(guān)斷的死區(qū)時(shí)間期間。此模式與模式 1 類似。唯一的區(qū)別是電感器電流會(huì)流過 Q₁ 的體二極管。在大多數(shù)情況下，體二極管的壓降高于 V_RDSON。這意味著自舉電容器之間的電壓差會(huì)高于模式 1 中的電壓差，并且可能會(huì)使自舉電容器過充。表示自舉電壓值的公式是：

V_CBOOT2：模式 2 中自舉電容器的電壓

V_d1：自舉二極管的正向壓降

V_d2：MOSFET 體二極管的壓降

因?yàn)?V_d2 大于 V_RDSON，所以 V_CBOOT2 會(huì)大于 V_CBOOT1。實(shí)際上，如果我們不計(jì)算 HS 接地電壓的電勢(shì)振蕩，自舉電容器的電壓在此模式下是最大值。圖 3-4 顯示了模式 2 下的等效電路。

圖 3-4 模式 2 下的等效電路