設(shè)計目標
| 輸入 |
過流條件 |
輸出 |
電源 |
| Iload,最小值 |
Iload,最大值 |
IOC_TH |
tresp |
Vout_OC |
Vout_release |
VS |
VREF |
| 80mA |
900mA |
1A |
< 2μs |
1.2V |
1.18V |
5V |
0V |
設(shè)計說明
這是一種快速響應(yīng)單向電流檢測解決方案,通常稱為過流保護 (OCP),可提供
< 2μs 的響應(yīng)時間、tresp、過流警報信號以關(guān)閉超過閾值電流的系統(tǒng)。在該特定設(shè)置中,正常工作負載為 80mA 至
900mA,過流閾值定義為 1A (IOC_TH)。電流分流監(jiān)控器由 5V 電源軌供電。OCP
可以應(yīng)用于高側(cè)和低側(cè)拓撲。此電路中呈現(xiàn)的解決方案屬于高側(cè)實現(xiàn)。此電路非常適用于只能揚聲器和擴展塢。
設(shè)計說明
- 使用去耦電容器 C1 和 C2 以確保器件電源穩(wěn)定。將去耦電容器盡可能靠近器件電源引腳放置。
- 如果需要具有較高跳閘點的較大動態(tài)電流測量范圍,可以在 INA185 OUT 引腳和接地之間連接一個分壓器,并將分壓器輸出連接到
TLV4021R1 輸入。
設(shè)計步驟
- 確定在與比較器的傳播延遲配合使用時,為了實現(xiàn)足夠快的響應(yīng)所需的壓擺率
SR。在此示例中,由于 TLV4021 器件具有快速傳播延遲 (tP = 450ns) 和快速下降時間 (tf =
4ns),因此選擇該器件作為外部比較器。當(dāng)負載從 0A 升至 1A (ΔVout = Vtrip – 0V)
時,會發(fā)生最壞的情況。為了降低激進的壓擺率,可以從分子中的 Vtrip 中減去器件失調(diào)電壓(VOS x
增益)。
- 選擇壓擺率大于或等于 0.78V/μs 的電流分流監(jiān)控器。INA185 器件的典型壓擺率為 2V/μs,可滿足要求。
- 為了獲得測得的最低電流電平和過流電平之間的最大余量,請從所選電流分流監(jiān)控器中選擇最小增益型號。在這種情況下,使用配有 1.2V
比較器基準的 20V/V 電流分流監(jiān)控器就足夠了。
- 在給定 20V/V 增益的情況下計算 Rshunt
值。使用最接近的標準值分流器,最好低于計算出的分流器,以避免過早地限制輸出。
- 檢查最小電流測量值是否明顯高于電流分流監(jiān)控器輸入偏移電壓。建議的最大失調(diào)電壓誤差 errorVOS 為
10%。
- 檢查 ILoad Max 是否低于遲滯閾值
IRelease_TH,從而確保在系統(tǒng)采取糾正措施以使負載回到低于正常工作范圍的上限之后,清除警報信號。在這種情況下,900mA
正常工作區(qū)域最大值與比較器施加的遲滯電平之間存在 83mA 的裕度。
設(shè)計仿真
直流仿真結(jié)果
直流傳輸特性曲線確認 OCP 觸發(fā)來自 1A 負載。
瞬態(tài)仿真結(jié)果
以下結(jié)果證實了與 TLV4021
器件配對的 INA185器件可在 2μs 內(nèi)觸發(fā)超出過流閾值的警報。在這種情況下,幾乎可以實現(xiàn) 1μs
的典型值。請謹記,這些仿真中使用的模型都是圍繞典型器件特性進行設(shè)計的。實際性能可能會因正常設(shè)備的變化而有所不同。
設(shè)計參考資料
有關(guān) TI 綜合電路庫的信息,請參閱模擬工程師電路手冊。
過流保護電路的主要文件
此設(shè)計的源文件:
高側(cè) OCP Tina 模型
低側(cè) OCP Tina 模型
電流檢測放大器入門視頻系列
電流檢測放大器入門
設(shè)計特色電流檢測放大器
| INA185 |
| VS |
2.7V 至 5.5V |
| VCM |
GND-0.2V 至 26V |
| VOUT |
GND + 500μV 至
VS – 0.02V
|
| 增益 |
20V/V、50V/V、100V/V、200V/V |
| VOS |
±100μV(典型值) |
| SR |
2V/μs(典型值) |
| Iq |
200μA(典型值) |
| IB |
75μA(典型值) |
|
INA185
|
設(shè)計備選電流檢測監(jiān)控器
|
INA181 |
INA180 |
| VS |
2.7V 至 5.5V |
2.7V 至 5.5V |
| VCM |
GND-0.2V 至 26V |
GND-0.2V 至 26V |
| VOUT |
GND + 500μV 至
VS – 0.02V |
GND + 500μV 至
VS – 0.02V |
| 增益 |
20V/V、50V/V、100V/V、200V/V |
20V/V、50V/V、100V/V、200V/V |
| VOS |
±100μV(典型值) |
±100μV(典型值) |
| SR |
2V/μs(典型值) |
2V/μs(典型值) |
| Iq |
195μA(典型值) |
197μA(典型值) |
| IB |
75μA(典型值) |
80μA(典型值) |
|
INA181
|
INA180
|