這些指令指的是頁面和寄存器地址。當使用 I2C 串行接口時，頁面由不同的 I2C 地址描繪，而在 SPI 中，頁面信息包含在傳輸有效載荷的第二個字節(jié)中?？蓪⒋薪涌谧鳛?NVM 配置的一部分進行更改，如節(jié) 5中所述。請參閱有關頁面實現(xiàn)的器件數(shù)據(jù)表。
- 解鎖 NVM
解鎖 NVM 需要對位于第 0 頁寄存器地址 0xA2 處的 USER_EE_CTRL_1 寄存器進行一系列寫入訪問。首先將“0x00”寫入寄存器以復位解鎖機制。接下來的四次寫入必須按順序進行，并且在兩次寫入之間不能執(zhí)行寄存器訪問。第一次 0x98，第二次 0xB8，第三次 0x13 和第四次 0x7D。成功解鎖 NVM 后，將設置第 0 頁寄存器地址 0xA3 的位 6 和位 7。注： 寄存器訪問包括 PFSM 和串行接口。在 NVM 解鎖期間，PMIC 必須處于空閑狀態(tài)，并且 PFSM 不會嘗試訪問寄存器映射。執(zhí)行解鎖的 MCU 還必須將寄存器訪問限制為僅與解鎖序列關聯(lián)的寫入。在某些 MCU 串行通信中，每次寫入后都會自動回讀每個寄存器。必須關閉任何此類機制。
- 禁用 PFSM
解鎖 NVM 后，下一步是禁用 PFSM。這是通過設置第 0 頁寄存器地址 0xA3 的位 0 來完成的。由于該寄存器還包含解鎖內(nèi)容，因此將 0xC1 寫入寄存器。
- 降壓頻率和串行接口變更的特殊注意事項
禁用 PFSM 之后，向用戶寄存器寫入新內(nèi)容之前，必須應用降壓頻率或接口變更的任何特殊注意事項。如果降壓頻率保持不變且串行接口保持不變，則無需額外的指令。請參閱適用的特殊注意事項以及示例。有關詳細信息，請參閱節(jié) 5.1 和節(jié) 5.2
- 向第 0、1 和 4 頁寫入內(nèi)容
寫入第 0、1 和 4 頁的內(nèi)容只能包含AppendixA 中所述的寄存器地址。如果啟用了寄存器 CRC，則非 NVM 寄存器也必須恢復為默認值，如AppendixB 中所述。
- 向第 3 頁寫入內(nèi)容
完成第 0、1 和 4 頁后，寫入第 3 頁。第 3 頁是一個特殊用例，需要額外處理才能訪問 PFSM 存儲器空間的子頁。頁面和子頁的描繪也可以在二進制文件中標識，其中第 0 頁位于地址空間 0x00-0xFF，第 1 頁位于 0x100-0x1FF，第 4 頁位于 0x400-0x4FF，第 3 頁子頁 0 位于 0x3000-0x30FF，子頁 1 位于 0x3100-0x32FF，子頁 2 位于 0x3200。PFSM 部分對子頁進行了詳細說明。通過第 0 頁寄存器 0xA4 選擇第 3 頁子頁。 警告： TPS6594-Q1 和 TPS6593-Q1 系列器件的第 3 頁有三個子頁。LP8764-Q1 器件的第 3 頁只有兩個子頁，不存在子頁 2。嘗試寫入 LP8764-Q1 的子頁 2 會導致寫入子頁 1，從而損壞存儲器空間。
表 4-1 PFSM 地址控制，寄存器地址 0xA4，第 0 頁
| 位 |
字段 |
類型 |
復位 |
說明 |
| 7-2 |
保留 |
R/W |
0h |
|
| 1-0 |
PFSM_PAGE_SEL |
R/W |
0h |
選擇可尋址的第 3 頁地址空間。
0：0x000-0x0FF
1：0x100-0x1FF
2：0x200-0x2FF
|
- 鎖定 NVM 以防止未來編程（可選）
如果需要鎖定 NVM 以防止未來更新，則第 1 頁上的寄存器 0x41 的值必須是 0xA5 以外的值。鎖定 NVM 還可防止出于驗證目的訪問第 3 頁。注： 鎖定 NVM 是一項永久性決定，會禁止以后的任何更改。
- 更新寄存器 CRC
在寄存器映射中更新所有內(nèi)容后，可以計算和應用寄存器 CRC。只有在所配置的 NVM 中啟用寄存器 CRC 時，才需要執(zhí)行此操作。
- 將內(nèi)容從寄存器映射移至 NVM
現(xiàn)在所有用戶寄存器內(nèi)容都已更新且寄存器 CRC 已更新，可將內(nèi)容復制到 NVM 空間中。要啟動內(nèi)容傳輸，請設置第 1 頁寄存器 0xEF 的位 1。傳輸不是瞬時的，可以在第 1 頁寄存器地址 0xF3 的位 1 中觀察到傳輸?shù)臓顟B(tài)。當該位清零時，傳輸活動就結束了。