通過(guò)修改集成 FET，在以下情況下，最好使用主機(jī)控制的降壓/降壓升壓充電器為超級(jí)電容器充電

• 充電器的輸入電壓可以高于或低于 V_REG。
• I_CHG 為高電平，通常 > 3.0A
• 超級(jí)電容器的電容非常高或需要非常短的充電時(shí)間

與許多充電器不同，具有外部 FET 的 BQ25713/30 系列降壓/升壓充電控制器不提供涓流充電。此外，即使是 NVDC 充電器，BQ25713/30 也具有 I²C 寄存器，允許用戶禁用最小系統(tǒng)電壓，從而實(shí)現(xiàn)預(yù)充電階段和 BAT 引腳短路保護(hù)。在禁用最小系統(tǒng)電壓的情況下，初始充電期間 BATFET 兩端的電壓將最小化。

如果需要最小系統(tǒng)電壓，則可以啟用控制器的最小系統(tǒng)電壓并將其設(shè)置為系統(tǒng)的最低可接受值，從而更大限度地降低 BATFET 上的損耗。

BQ25713 方框圖如下所示。主機(jī)在充電器的 I²C 寄存器中設(shè)置充電電流和超級(jí)電容器電壓調(diào)節(jié)以及前面提到的其他設(shè)置。

圖 2-10 中顯示了使用 BQ25713 在 I_CHG = 3A (VBUS = 20V) 時(shí)將 5F 超級(jí)電容器充電至 5.2V 的完整充電周期。

如圖 2-10 中的曲線所示，充電器需要一個(gè)最小輸出電壓（大約 2V）來(lái)提供一個(gè)給定的充電電流，所以 V(SYS) 被保持在這個(gè)電平，直到 V(BAT) = V(CAP) 上升至 V(SYS)。最初，BATFET 中的功率損耗很高但緩慢下降 (P_L(MAX) = 2V * ICHG)。用戶必須選擇能夠安全處理此功率耗散的 BATFET，尤其是在其充電電流較高時(shí)。