ZHCAC47 February 2023 BQ769142 , BQ76942 , BQ76952 , ISO1640 , LM5168
3 高側(cè) N 溝道 MOSFET
TIDA-010247 支持高側(cè) N 溝道 MOSFET 架構(gòu)，并使用頂部 BQ769x2 電荷泵來(lái)驅(qū)動(dòng) MOSFET 的導(dǎo)通和關(guān)斷。高側(cè) MOSFET 架構(gòu)始終保護(hù)接地連接，有利于電池組與外部通信，但也帶來(lái)了新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。由于頂部 BQ769x2 參考底部電池組電壓，因此當(dāng)頂部 BQ769x2 嘗試關(guān)閉 DSG MOSFET 時(shí)，DSG 引腳電壓會(huì)降至 LD 引腳電壓，并最終下降到底部電池組電壓（頂部 BQ769x2 接地），底部電池組電壓過(guò)高，無(wú)法完全關(guān)閉 DSG MOSFET。TIDA-010247 使用分立式電路（如#FIG_TG5_XXH_VVB 所示）來(lái)確保 DSG MOSFET 快速完全關(guān)閉。
圖 3-1 TIDA-010247 中的高側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路