當(dāng)系統(tǒng)需要關(guān)閉 DSG MOSFET，來(lái)將 Dri_Test 節(jié)點(diǎn)驅(qū)動(dòng)為低電平時(shí)，MCU 或底部 BQ769x2 DDSG 會(huì)導(dǎo)通 Q47。P 溝道 MOSFET Q49 導(dǎo)通，通過(guò) R175 對(duì) DSG MOSFET 的柵極-源極電壓進(jìn)行放電。齊納二極管 D30 可保護(hù) Q49 源極-柵極電壓。頂部 BQ769x2 器件將 TOP_DSG 驅(qū)動(dòng)至 TOP_LD 以關(guān)閉 Q41，阻止電荷泵進(jìn)一步放電并允許 Dri_Test 接地，確保 DSG MOSFET 完全關(guān)斷。D21 和 R148 可保護(hù) Q41 柵極-源極電壓，并確保 Q41 處于關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng) DSG MOSFET 完全關(guān)斷后，PACK+ 電壓較低，D24 會(huì)阻止來(lái)自 UP_GND 和 TOP_LD 的電流為 PACK+ 充電，并保護(hù)頂部 BQ769x2，免受負(fù)電壓的影響。在 DSG MOSFET 關(guān)斷過(guò)程完成后，Q47 能夠關(guān)斷，以便減少功耗。

當(dāng)系統(tǒng)需要再次導(dǎo)通 DSG MOSFET 時(shí)，系統(tǒng)會(huì)首先檢查 Q47 是否關(guān)斷，然后使用頂部 BQ769x2 電荷泵電壓驅(qū)動(dòng) TOP_DSG。Q41 導(dǎo)通，并通過(guò) R147、Q41、R157、D29 和 D30 為 DSG MOSFET 的柵極-源極電壓充電。由于 D24 在 PACK+ 電壓較低時(shí)阻止 TOP_LD 跟隨 PACK+，因此 TOP_LD 充電速度過(guò)快，無(wú)法減慢 Q41 的導(dǎo)通過(guò)程。此設(shè)計(jì)在電路板上保留 R163與 D24 之間的并聯(lián)，但不連接 R163，以便降低電流消耗。保留肖特基 D23 提供保護(hù)，防止 TOP_LD 上出現(xiàn)負(fù)電壓。