NESY031C january 2023 – april 2023 LMQ61460-Q1 , TPS54319 , TPS62088 , TPS82671 , UCC12040 , UCC12050
提升功率密度的趨勢十分清楚。實現(xiàn)更精巧的電源解決方案時，會面臨許多重大限制。若想克服功率損耗和熱性能挑戰(zhàn)，就必須在切換處性、IC 封裝、電路設(shè)計與整合上進(jìn)行創(chuàng)新。每片拼圖都可在功率密度上提供顯著改善，但每項技術(shù)都彼此獨立。因此您可整合各領(lǐng)域的技術(shù)，幫助大幅提升功率密度。
想像一個產(chǎn)品透過被動整合採用多階拓?fù)渑c最低迴路電感，即可擁有最佳切換裝置 FoM 和領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界的封裝熱功能。技術(shù)發(fā)展必須在彼此間進(jìn)行取捨，才能在功率密度中取得突破。
現(xiàn)在只要運用 TI 進(jìn)階程序、封裝與電路設(shè)計技術(shù)，即可在更小空間中獲得更多功率，並可以更少系統(tǒng)成本強化系統(tǒng)功能。如需進(jìn)一步了解，請參閱 ti.com/powerdensity。