ZHCSIP1G April 1999 – July 2025 UCC2808A-1 , UCC2808A-2 , UCC3808A-1 , UCC3808A-2
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 引腳 | 類型(1) | 說明 | ||
|---|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | |||
| D (SOIC) |
PW (TSSOP) |
|||
| COMP | 1 | 3 | O | COMP 是誤差放大器的輸出，也是 PWM 比較器的輸入。UCCx808A 誤差放大器是真正的、低輸出阻抗的 2MHz 運算放大器。因此，COMP 引腳既可以拉電流，也可以灌電流。不過，誤差放大器具有內(nèi)部電流限制，因此，可以通過將 COMP 拉至 GND 在外部強(qiáng)制指定零占空比。UCCx808A 系列產(chǎn)品內(nèi)置全周期軟啟動功能。軟啟動是通過鉗制最大 COMP 電壓實現(xiàn)的。 |
| CS | 3 | 5 | I | PWM 輸入、峰值電流和過流比較器。過流比較器僅適用于故障檢測。超出過流閾值會導(dǎo)致軟啟動循環(huán)。內(nèi)部 MOSFET 使電流檢測濾波電容器放電，以提高電源轉(zhuǎn)換器的動態(tài)性能。 |
| FB | 2 | 4 | I | 誤差放大器的反相輸入。為了獲得最佳的穩(wěn)定性，使 FB 引線長度保持盡可能短，并使 FB 雜散電容保持盡可能小。 |
| GND | 5 | 7 | G | 所有功能的參考接地和電源接地。由于 UCC3808A 具有高電流和高頻運行，因此強(qiáng)烈建議使用低阻抗電路板接地平面。 |
| OUTA | 7 | 1 | O | 交替高電流輸出級。兩個輸出級都能夠驅(qū)動功率 MOSFET 的柵極。每個輸出級都能夠提供 500mA 峰值拉電流和 1A 峰值灌電流。在推挽式配置中，輸出級以振蕩器頻率的一半進(jìn)行切換。當(dāng) RC 引腳上的電壓上升時，兩個輸出之一為高電平，但在下降時間內(nèi)，兩個輸出均關(guān)斷。兩個輸出之間的這一死區(qū)時間，以及比下降時間更慢的輸出上升時間，可阻止兩個輸出同時活動。該死區(qū)時間通常為 60ns 至 200ns，具體取決于計時電容器和電阻器的值。高電流輸出驅(qū)動器由從 VDD 切換到 GND 的 MOSFET 輸出器件組成。每個輸出級還可為過沖和欠沖提供非常低的阻抗。此配置意味著在許多情況下，無需使用外部肖特基鉗位二極管。 |
| OUTB | 6 | 8 | O | 交替高電流輸出級。兩個輸出級都能夠驅(qū)動功率 MOSFET 的柵極。每個輸出級都能夠提供 500mA 峰值拉電流和 1A 峰值灌電流。在推挽式配置中，輸出級以振蕩器頻率的一半進(jìn)行切換。當(dāng) RC 引腳上的電壓上升時，兩個輸出之一為高電平，但在下降時間內(nèi)，兩個輸出均關(guān)斷。兩個輸出之間的這一死區(qū)時間，以及比下降時間更慢的輸出上升時間，可阻止兩個輸出同時活動。該死區(qū)時間通常為 60ns 至 200ns，具體取決于計時電容器和電阻器的值。高電流輸出驅(qū)動器由從 VDD 切換到 GND 的 MOSFET 輸出器件組成。每個輸出級還可為過沖和欠沖提供非常低的阻抗。此配置意味著在許多情況下，無需使用外部肖特基鉗位二極管。 |
| RC | 4 | 6 | O | 振蕩器編程引腳。UCC3808A 振蕩器在內(nèi)部走線 VDD 和 GND，因此電源軌的變化可以更大限度地降低對頻率穩(wěn)定性的影響。節(jié) 6.2 顯示振蕩器方框圖。只需兩個元件即可對振蕩器進(jìn)行編程：一個電阻器（連接到 VDD 和 RC）和一個電容器（連接到 RC 和 GND）。近似振蕩器頻率由方程式 1 中的簡單公式確定。 計時電阻器阻值的建議范圍為 10kΩ 到 200kΩ，計時電容器值的建議范圍為 100pF 到 1000pF。避免使用小于 10kΩ 的計時電阻器。為了獲得最佳性能，應(yīng)使 GND 的計時電容器引線盡可能短，使 VDD 的計時電阻引線盡可能短，并使計時元件與 RC 之間的引線盡可能短。建議對外部計時網(wǎng)絡(luò)使用單獨的接地和 VDD 走線。 |
| VDD | 8 | 2 | P | 該器件的電源輸入連接。盡管靜態(tài) VDD 電流極低，但總電源電流較高，具體取決于 OUTA 和 OUTB 電流，以及編程的振蕩器頻率。總 VDD 電流是靜態(tài) VDD 電流和平均 OUT 電流的總和。已知工作頻率和 MOSFET 柵極電荷 (Qg)，根據(jù) 方程式 2 計算平均 OUT 電流。 為了防止出現(xiàn)噪聲問題，使用盡可能靠近芯片的陶瓷電容器以及電解電容器將 VDD 旁路至 GND。建議使用 1μF 去耦電容器。 |