12.1.1.1 使用 WEBENCH® 工具創(chuàng)建定制設(shè)計(jì)方案

請(qǐng)單擊此處，通過 WEBENCH® 電源設(shè)計(jì)器使用 UCC28710 器件創(chuàng)建定制的設(shè)計(jì)方案。

1. 在開始階段鍵入輸出電壓 (V_IN)、輸出電壓 (V_OUT) 和輸出電流 (I_OUT) 要求。
2. 使用優(yōu)化器撥盤優(yōu)化關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)，如效率、封裝和成本。
3. 將生成的設(shè)計(jì)與德州儀器 (TI) 的其他解決方案進(jìn)行比較。

WEBENCH Power Designer 提供一份定制原理圖以及羅列實(shí)時(shí)價(jià)格和組件可用性的物料清單。

在多數(shù)情況下，可執(zhí)行以下操作：

• 運(yùn)行電氣仿真，觀察重要波形以及電路性能
• 運(yùn)行熱性能仿真，了解電路板熱性能
• 將定制原理圖和布局方案導(dǎo)出至常用 CAD 格式
• 打印設(shè)計(jì)方案的 PDF 報(bào)告并與同事共享

有關(guān) WEBENCH 工具的詳細(xì)信息，請(qǐng)?jiān)L問 www.ti.com/WEBENCH。

12.1.2.1 電容術(shù)語(yǔ)（以法拉為單位）

• C_BULK：CB1 _{和 C}B2 _的總輸入電容。
• C_DD：VDD 引腳上所需的最小電容。
• C_OUT：所需的最小輸出電容。

12.1.2.2 占空比術(shù)語(yǔ)

• D_MAGCC：CC 中的二次側(cè)二極管導(dǎo)通占空比，0.425。
• D_MAX：MOSFET 導(dǎo)通時(shí)間占空比。

12.1.2.3 頻率術(shù)語(yǔ)（以赫茲為單位）

• f_LINE：最小線路頻率。
• f_MAX：轉(zhuǎn)換器的目標(biāo)滿載最大開關(guān)頻率。
• f_MIN：轉(zhuǎn)換器的最小開關(guān)頻率，為器件的 f_SW(min) 限值增加 15％ 裕度。
• f_SW(min)：最小開關(guān)頻率（請(qǐng)參閱Electrical Characteristics）。

12.1.2.4 電流術(shù)語(yǔ)（以安培為單位）

• I_OCC：轉(zhuǎn)換器目標(biāo)恒流輸出。
• I_PP(max)：變壓器一次側(cè)最大電流。
• I_START：啟動(dòng)偏置電源電流（請(qǐng)參閱Electrical Characteristics）。
• I_TRAN：所需的正負(fù)載階躍電流。
• I_VSL(run)：VS 引腳運(yùn)行電流（請(qǐng)參閱Electrical Characteristics）。

12.1.2.5 電流和電壓調(diào)節(jié)術(shù)語(yǔ)

• K_AM：最大/最小峰值初級(jí)電流比率（請(qǐng)參閱Electrical Characteristics）。
• K_LC：電流調(diào)節(jié)常量（請(qǐng)參閱Electrical Characteristics）。

12.1.2.6 變壓器術(shù)語(yǔ)

• L_P：變壓器一次側(cè)電感。
• N_AS：變壓器輔助側(cè)與二次側(cè)的匝數(shù)比。
• N_PA：變壓器一次側(cè)與輔助側(cè)的匝數(shù)比。
• N_PS：變壓器一次側(cè)與二次側(cè)的匝數(shù)比。

12.1.2.7 功率術(shù)語(yǔ)（以瓦特為單位）

• P_IN：轉(zhuǎn)換器的最大輸入功率。
• P_OUT：轉(zhuǎn)換器的滿載輸出功率。
• P_RSTR：VDD 啟動(dòng)電阻的功耗。
• P_SB：總待機(jī)功耗。
• P_{SB_CONV}：P_SB與啟動(dòng)電阻和緩沖器損耗的差值。

12.1.2.8 電阻術(shù)語(yǔ)（以 Ω 為單位）

• R_CS：一次側(cè)電流編程電阻。
• R_ESR：輸出電容器的總 ESR。
• R_PL：轉(zhuǎn)換器輸出端的預(yù)載電阻。
• R_S1：高側(cè) VS 引腳電阻。
• R_S2：低側(cè) VS 引腳電阻。

12.1.2.9 時(shí)間術(shù)語(yǔ)（以秒為單位）

• t_D：包括 MOSFET 關(guān)斷延遲在內(nèi)的電流感測(cè)延遲；在 MOSFET 延遲基礎(chǔ)上增加 50ns。
• T_DMAG(min)：次級(jí)整流器的最短導(dǎo)通時(shí)間。
• t_ON(min)：最短 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)間。
• t_R：DCM（斷續(xù)導(dǎo)通模式）期間的諧振頻率。

12.1.2.10 電壓術(shù)語(yǔ)（以伏特為單位）

• V_BLK：用于待機(jī)功耗測(cè)量的大容量電容最高電壓。
• V_{BULK（最小值）}：滿功率條件下 C_B1 和 C_B2 的最低電壓。
• V_OCBC：輸出引腳的目標(biāo)電纜補(bǔ)償電壓。
• V_CBC(max)：最大轉(zhuǎn)換器輸出電流條件下 CBC 引腳的最大電壓（請(qǐng)參閱Electrical Characteristics）。
• V_CCR：恒流調(diào)節(jié)電壓（請(qǐng)參閱Electrical Characteristics）。
• V_CST(max)：CS 引腳最大電流感測(cè)閾值（請(qǐng)參閱Electrical Characteristics）。
• V_CST(min)：CS 引腳最小電流感測(cè)閾值（請(qǐng)參閱Electrical Characteristics）。
• V_DD(off)：UVLO 關(guān)斷電壓（請(qǐng)參閱Electrical Characteristics）。
• V_DD(on)：UVLO 開啟電壓（請(qǐng)參閱Electrical Characteristics）。
• V_OΔ：負(fù)載階躍瞬態(tài)期間允許的輸出壓降。
• V_DSPK：高壓線路中的峰值 MOSFET 漏極-源極電壓。
• V_F：電流接近零時(shí)的二次側(cè)整流器正向壓降。
• V_FA：輔助整流器正向壓降。
• V_LK：估計(jì)的漏感能量復(fù)位電壓。
• V_OCV：經(jīng)穩(wěn)壓的轉(zhuǎn)換器輸出電壓。
• V_OCC：恒流穩(wěn)壓條件下的最低目標(biāo)轉(zhuǎn)換器輸出電壓。
• V_REV：二次側(cè)整流器的峰值反向電壓。
• V_RIPPLE：滿載條件下的輸出峰峰值紋波電壓。
• V_VSR：VS 輸入處的 CV 調(diào)節(jié)電平（請(qǐng)參閱Electrical Characteristics）。

12.1.2.11 交流電壓術(shù)語(yǔ)（以 V_RMS 為單位）

• V_IN(max)：轉(zhuǎn)換器的最大輸入電壓。
• V_IN(min)：轉(zhuǎn)換器的最小輸入電壓。
• V_IN(min)：轉(zhuǎn)換器的輸入啟動(dòng)（運(yùn)行）電壓。

12.1.2.12 效率術(shù)語(yǔ)

• η_SB：無載條件下估算的轉(zhuǎn)換器效率，其中不包括啟動(dòng)電阻或偏置損耗。對(duì)于 5V USB 充電器應(yīng)用而言，60％ 到 65％ 是很好的初步估算值。
• η：轉(zhuǎn)換器總體效率。
• η_XFMR：變壓器一次側(cè)與二次側(cè)之間的功率傳輸效率。

Table 2. 相關(guān)鏈接