ZHCSLD1F May 2004 – April 2025 UCC2813-0-Q1 , UCC2813-1-Q1 , UCC2813-2-Q1 , UCC2813-3-Q1 , UCC2813-4-Q1 , UCC2813-5-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
這些器件的最大占空比高于其 UC384x 前代產(chǎn)品。這主要是由于計(jì)時(shí)電容器放電與充電電流的比率較高,在典型 BiCMOS 應(yīng)用中可能超過(guò) 100:1。必須避免嘗試通過(guò)調(diào)整 RT 和 CT 的時(shí)序元件值來(lái)對(duì)振蕩器最大占空比進(jìn)行遠(yuǎn)低于指定范圍的編程。避免采用這種設(shè)計(jì)做法的原因有兩個(gè)。首先,該器件的高放電電流需要比編程所需更高的充電電流,從而違背了低功耗運(yùn)行的目的。其次,低值計(jì)時(shí)電阻器可能會(huì)阻止電容器放電至下限閾值,從而無(wú)法啟動(dòng)下一個(gè)開(kāi)關(guān)周期。