通常，電源開關在導通和關斷期間的開關速度應盡可能快，以盡可能減小開關功率損耗。柵極驅動器器件必須能夠提供所需的峰值電流，以實現目標開關速度和目標功率 MOSFET。系統對開關速度的要求通常通過功率 MOSFET 漏源電壓的壓擺率（如 dV_DS/dt）來描述。例如，在連續(xù)導通模式 (CCM) 升壓 PFC 轉換器應用中，系統可能要求 SPP20N60C3 功率 MOSFET 必須在 400V 的直流母線電壓下，以 20V/ns 或更高的 dV_DS/dt 導通。這種類型的應用屬于電感式硬開關應用，因此降低開關功率損耗至關重要。該要求意味著在功率 MOSFET 導通事件期間（從關斷狀態(tài)下的 400V 到導通狀態(tài)下的 V_DS(on)），整個漏源電壓擺幅必須在約 20ns 或更短的時間內完成。當發(fā)生漏源電壓擺幅時，功率 MOSFET 的米勒電荷（SPP20N60C3 數據表中的 Q_GD 參數為 33nC 典型值）由柵極驅動器的峰值電流提供。根據功率 MOSFET 電感開關機制，此時功率 MOSFET 的柵源電壓為米勒平坦區(qū)域電壓，通常比功率 MOSFET 的閾值電壓 V_GS(TH) 高幾伏。

為了實現目標 dV_DS/dt，柵極驅動器必須能夠在 20ns 或更短的時間內提供 Q_GD 電荷。換句話說，柵極驅動器必須提供 1.65A (= 33nC/20ns) 或更高的峰值電流。UCC27311A 柵極驅動器能夠提供 3.7A 峰值拉電流，明顯超過了設計要求，并能夠滿足所需的開關速度。過驅能力針對功率 MOSFET 在 Q_GD 參數方面的器件間差異提供了額外的裕度，同時也為插入外部柵極電阻器并對開關速度進行微調提供了額外的靈活性，以實現效率與 EMI 優(yōu)化。然而，在實際設計中，PCB 的柵極驅動電路中的寄生引線電感對功率 MOSFET 開關速度具有決定性的作用。該跡線電感會限制柵極驅動器的輸出電流脈沖的 dI/dt。為了說明這一點，下面以近似三角曲線的柵極驅動器輸出電流脈沖波形為例說明，其中三角曲線下的面積
(? ×I_PEAK × time) 等于功率 MOSFET 的總柵極電荷（SPP20N60C3 功率 MOSFET 數據表中的 Q_G 參數 = 87nC 典型值）。如果寄生引線電感限制了 dI/dt，則可能會發(fā)生這樣的情況：在提供開關功率 MOSFET 的 Q_G 所需的時間內無法完全實現柵極驅動器的完整峰值電流能力。換言之，上述公式中的 time 參數將占主導地位，并且電流脈沖的 I_PEAK 值遠低于器件真正的峰值電流能力，同時仍能提供所需的 Q_G。因此，可能無法實現所需的開關速度，即使理論計算表明柵極驅動器能夠實現此目標開關速度。因此，將柵極驅動器器件放置在非常靠近功率 MOSFET 的位置并設計具有最小 PCB 跡線電感的緊湊柵極驅動環(huán)路對于實現柵極驅動器的完整峰值電流功能而言非常重要。