4 引腳配置和功能

圖 4-1 DRC 封裝 10 引腳 SON頂視圖

表 4-1 引腳功能

引腳		類型⁽³⁾	說明
名稱	DRC	類型⁽³⁾	說明
EN	6	I	使能輸入。當(dāng)該引腳被拉高時(shí)，它將啟用驅(qū)動(dòng)器。如果保持懸空或被拉低，它將禁用驅(qū)動(dòng)器。建議在 EN 和 VSS 之間放置一個(gè)濾波電容器（通常為 1nF 至 10nF），以提高敏感應(yīng)用的抗噪性能。
HB	3	P	高側(cè)自舉電源。自舉二極管位于片上，但需要外部自舉電容器。將自舉電容器的正極側(cè)連接到該引腳。HB 旁路電容器的典型范圍為 0.022μF 至 0.1μF。電容器值取決于高側(cè) MOSFET 的柵極電荷，還必須根據(jù)速度和紋波標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行選擇。
HI	7	I	高側(cè)輸入。⁽¹⁾
HO	4	O	高側(cè)輸出。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的柵極。
HS	5	P	高側(cè)源極連接。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的源極。將自舉電容器的負(fù)極側(cè)連接到該引腳。
LI	8	I	低側(cè)輸入。⁽¹⁾
LO	10	O	低側(cè)輸出。連接到低側(cè)功率 MOSFET 的柵極。
VDD	1	P	低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的正電源。將該引腳去耦合至 V_SS (GND)。典型去耦電容器范圍為 0.22μF 到 4.7μF（請參閱⁽²⁾）。
VSS	9	G	器件的負(fù)電源端子，通常為接地。
散熱焊盤	Pad	—	連接到熱質(zhì)量較大的布線或 GND 平面以提高熱性能。引腳 VSS 和外露散熱焊盤在內(nèi)部連接。

(1) 假設(shè) HI、LI 和 EN 輸入連接到低阻抗源信號。假設(shè)源輸出阻抗小于 100Ω。如果源阻抗大于 100Ω，請?jiān)?HI 和 VSS 之間、LI 和 VSS 之間以及 EN 和 VSS 之間分別添加一個(gè)旁路電容器。添加的電容器值取決于引腳上出現(xiàn)的噪聲水平，通常 1nF 至 10nF 應(yīng)能有效消除可能的噪聲影響。當(dāng) HI 或 LI 這兩個(gè)引腳上出現(xiàn)噪聲時(shí)，會(huì)導(dǎo)致 HO 和 LO 故障，產(chǎn)生錯(cuò)誤的邏輯輸出。

(2) 對于低溫應(yīng)用，TI 建議使用電容范圍上限值。請遵循 PCB 布局的布局指南。

(3) G = 接地，I = 輸入，O = 輸出，P = 電源。