ZHCSVO2D June 2008 – July 2024 UCC27200-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 Pin Configuration and Functions
- 5 Specifications
- 6 Detailed Description
- 7 Application and Implementation
- 8 Power Supply Recommendations
- 9 Layout
- 10Device and Documentation Support
- 11Revision History
- 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDA|8
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDA|8
訂購(gòu)信息
3 說明
UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器由 120V 自舉二極管和高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器組成，其中高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器配有獨(dú)立輸入，可更大限度提高控制靈活性。這可在半橋轉(zhuǎn)換器、全橋轉(zhuǎn)換器、雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器和有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn) N 溝道 MOSFET 控制。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是獨(dú)立控制的，并在彼此的接通和關(guān)斷之間實(shí)現(xiàn)了 1ns 的延遲匹配。
由于在芯片上集成了一個(gè)自舉二極管，因此無需采用外部分立式二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器均配有欠壓鎖定功能，如果驅(qū)動(dòng)電壓低于規(guī)定的閾值，則強(qiáng)制將輸出置為低電平。
UCC27200-Q1 具有高抗噪 CMOS 輸入閾值。
該器件采用 8 引腳 SO PowerPAD? (DDA) 封裝。
器件信息
| 器件型號(hào) | 封裝(1) | 本體尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| UCC27200-Q1 | DDA（PowerPADTM SOIC，8） | 4.9mm × 3.9mm |
(1) 有關(guān)所有可用封裝，請(qǐng)參閱節(jié) 12。
簡(jiǎn)化版應(yīng)用示意圖