ZHCSLA9H April 1997 – October 2024 UC1842 , UC1843 , UC1844 , UC1845 , UC2842 , UC2843 , UC2844 , UC2845 , UC3842 , UC3843 , UC3844 , UC3845
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
-
8 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2 典型應(yīng)用
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
7.3.6 振蕩器
振蕩器允許高達(dá) 500kHz 的開關(guān)頻率。OUTPUT 柵極驅(qū)動(dòng)器與 UCx842 和 UCx843 器件中的振蕩器頻率相同，可以在接近 100% 占空比下工作。在 UCx844 和 UCx845 器件中，由于內(nèi)部的 T 觸發(fā)器每隔一個(gè)時(shí)鐘周期就將輸出消隱，因此 OUTPUT 頻率是振蕩器頻率的一半，導(dǎo)致這些器件的最大占空比小于開關(guān)頻率的 50%。從 VREF 連接到 RT/CT 的外部電阻器 RRT 設(shè)置從 RT/CT 連接到 GROUND 的計(jì)時(shí)電容器的充電電流 CCT。建議在 RT/CT 上使用大于 5kΩ 的 RRT，以設(shè)置內(nèi)部振蕩器的正斜坡時(shí)間。針對(duì) RRT 使用 5kΩ 或更大的值可以在內(nèi)部阻抗與外部振蕩器設(shè)置電阻器之間保持良好的比率，并使頻率隨溫度的變化達(dá)到最小。使用值小于建議的最小值可能會(huì)導(dǎo)致頻率隨溫度、器件公差或處理差異而漂移。
在 UCx84x 器件中，振蕩器波形的峰峰值振幅為 1.7V。UCx842 和 UCx843 的最大占空比大概為 100%，而 UCx844 和 UCx845 通過(guò)內(nèi)部切換觸發(fā)器將最大占空比鉗制為 50%。這種占空比鉗位在大多數(shù)反激式和正激式轉(zhuǎn)換器中都是有利的。為了獲得出色 IC 性能，死區(qū)時(shí)間不能超過(guò)振蕩器時(shí)鐘周期的 15%。放電電流（在室溫下通常為 6mA）設(shè)置死區(qū)時(shí)間，請(qǐng)參閱圖 6-9。在放電或死區(qū) 時(shí)間內(nèi)，內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)將輸出消隱到低電平狀態(tài)。這將最大占空比 DMAX 限制為：
方程式 8 適用于 UCx842 和 UCx843 器件，因?yàn)?OUTPUT 開關(guān)頻率與振蕩器相同，最大占空比可高達(dá) 100%。
方程式 8 適用于 UCx844 和 UCx845 器件，因?yàn)?OUTPUT 開關(guān)頻率為振蕩器頻率的一半，最大占空比可高達(dá) 50%。
當(dāng)功率晶體管關(guān)閉時(shí)，噪聲尖峰被耦合到振蕩器 RT/CT 端子。在高占空比下，當(dāng)出現(xiàn)該尖峰時(shí)，RT/CT 處的電壓接近閾值水平（約 2.7V，由內(nèi)部振蕩器電路確定）。振幅足夠的尖峰會(huì)使振蕩器過(guò)早跳變。為了最大程度地降低噪聲尖峰，請(qǐng)選擇盡可能大的 CCT，同時(shí)記住死區(qū)時(shí)間隨著 CCT 的增加而增加。建議 CCT 不得小于約 1000pF。通常，導(dǎo)致此問題的噪聲是由外部寄生效應(yīng)在關(guān)斷時(shí)將 OUTPUT 下拉至地電平以下引起的。在驅(qū)動(dòng) MOSFET 時(shí)尤其如此。從 GROUND 到 OUTPUT 的肖特基二極管鉗位可防止此類輸出噪聲饋送到振蕩器。
