4 引腳配置和功能

圖 4-1 DGS/PW 封裝（頂視圖）

圖 4-3 RGY/RKS 封裝（頂視圖）

A. 對于 RKS/RGY/RUK 封裝，外露的中心散熱焊盤必須接地。

B. 邏輯 I/O 兩側不需要上拉電阻。

C. 如果需要上拉或下拉電阻，電阻值必須大于 50kΩ。

D. 50kΩ 是建議的安全值，如果客戶可接受較高的 V_OL 或較低的 V_OH，則允許使用更小的上拉或下拉電阻。可使用以下公式進行估算：V_OL = V_CCOUT × 4.5k/(4.5k + R_PU)，V_OH = V_CCOUT × R_DW/(4.5k + R_DW)。

E. 如果需要上拉電阻，請參閱 TXS0108 或聯(lián)系 TI。

圖 4-2 DQS 封裝（頂視圖）

圖 4-4 RUK 封裝（頂視圖）

圖 4-5 NME/GXY/ZXY 封裝（底視圖）

表 4-1 引腳功能

引腳				I/O⁽¹⁾	功能
信號名稱	PW、RGY 編號	DQS 編號	YZP GRID LOCATOR	I/O⁽¹⁾	功能
A1	1	1	A3	I/O	輸入/輸出 1。以 V_CCA 為基準。
V_CCA	2	5	C4	S	A 端口電源電壓。1.1V ≤ V_CCA ≤ 3.6V，V_CCA ≤ V_CCB。
A2	3	2	A4	I/O	輸入/輸出 2。以 V_CCA 為基準。
A3	4	3	B3	I/O	輸入/輸出 3。以 V_CCA 為基準。
A4	5	4	B4	I/O	輸入/輸出 4。以 V_CCA 為基準。
A5	6	7	C3	I/O	輸入/輸出 5。以 V_CCA 為基準。
A6	7	8	E4	I/O	輸入/輸出 6。以 V_CCA 為基準。
A7	8	9	D3	I/O	輸入/輸出 7。以 V_CCA 為基準。
A8	9	10	E3	I/O	輸入/輸出 8。以 V_CCA 為基準。
OE	10	6	D4	I	輸出使能。將 OE 引腳拉為低電平，使所有輸出處于三態(tài)模式。以 V_CCA 為基準。
GND	11	15	D1	S	接地
B8	12	11	E2	I/O	輸入/輸出 8。以 V_CCB 為基準。
B7	13	12	D2	I/O	輸入/輸出 7。以 V_CCB 為基準。
B6	14	13	E1	I/O	輸入/輸出 6。以 V_CCB 為基準。
B5	15	14	C2	I/O	輸入/輸出 5。以 V_CCB 為基準。
B4	16	17	B1	I/O	輸入/輸出 4。以 V_CCB 為基準。
B3	17	18	B2	I/O	輸入/輸出 3。以 V_CCB 為基準。
B2	18	19	A1	I/O	輸入/輸出 2。以 V_CCB 為基準。
V_CCB	19	16	C1	S	B 端口電源。1.65V ≤ V_CCB ≤ 5.5V。
B1	20	20	A2	I/O	輸入/輸出 1。以 V_CCB 為基準。
散熱焊盤	—			—	對于 RGY/RUK 封裝，外露的中心散熱焊盤必須接地。

(1) I = 輸入；O = 輸出；I/O = 輸入和輸出；S = 電源

表 4-2 引腳分配（20 焊球 NME/GXY/ZXY 封裝）

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