ZHCSY83D November 2005 – July 2025 TS5A3157
PRODUCTION DATA
| 符號 | 說明 |
|---|---|
| VCOM | COM 處的電壓 |
| VNC | NC 處的電壓 |
| VNO | NO 處的電壓 |
| ron | 通道導通時 COM 和 NC 端口之間或 COM 和 NO 端口之間的電阻 |
| Δron | 特定器件中通道間 ron 差異 |
| ron(flat) | 在指定條件范圍內(nèi)通道中 ron 的最大值和最小值之間的差值 |
| INC(OFF) | 相應(yīng)通道（NC 到 COM）處于關(guān)斷狀態(tài)時，在 NC 端口測得的泄漏電流 |
| INO(OFF) | 相應(yīng)通道（NO 到 COM）處于關(guān)斷狀態(tài)時，在 NO 端口測得的泄漏電流 |
| INC(ON) | 相應(yīng)通道（NC 到 COM）處于導通狀態(tài)且輸出 (COM) 處于開路狀態(tài)時，在 NC 端口測得的泄漏電流 |
| INO(ON) | 相應(yīng)通道（NO 到 COM）處于導通狀態(tài)且輸出 (COM) 處于開路狀態(tài)時，在 NO 端口測得的泄漏電流 |
| ICOM(ON) | 相應(yīng)通道（COM 到 NO 或 COM 到 NC）處于導通狀態(tài)且輸出（NC 或 NO）處于開路狀態(tài)時，在 COM 端口測得的泄漏電流 |
| VIH | 控制輸入 (IN) 邏輯高電平的最小輸入電壓 |
| VIL | 控制輸入 (IN) 邏輯低電平的最大輸入電壓 |
| VI | 控制輸入 (IN) 處的電壓 |
| IIH、IIL | 控制輸入 (IN) 處測得的泄漏電流 |
| tON | 開關(guān)導通時間。此參數(shù)在規(guī)定條件范圍下，開關(guān)導通時，通過數(shù)字控制 (IN) 信號和模擬輸出（COM、NC 或 NO）信號之間的傳播延遲測量得出。 |
| tOFF | 開關(guān)關(guān)斷時間。此參數(shù)在規(guī)定條件范圍下，開關(guān)關(guān)斷時，通過數(shù)字控制 (IN) 信號和模擬輸出（COM、NC 或 NO）信號之間的傳播延遲測量得出。 |
| tBBM | 先斷后合時間。此參數(shù)在規(guī)定條件范圍下，控制信號改變狀態(tài)時，通過兩個相鄰模擬通道（NC 和 NO）的輸出之間的傳播延遲測量得出。 |
| QC | 電荷注入是不必要的信號從控制 (IN) 輸入耦合到模擬（NC、NO 或 COM）輸出的量度。電荷注入以庫侖 (C) 為單位，可通過控制輸入切換時引起的總電荷來測量。電荷注入，QC = CL × ΔVCOM，CL 是負載電容，ΔVCOM 是模擬輸出電壓的變化。 |
| CNC(OFF) | 相應(yīng)通道（NC 到 COM）關(guān)斷時 NC 端口的電容 |
| CNO(OFF) | 相應(yīng)通道（NO 到 COM）關(guān)斷時 NO 端口的電容 |
| CNC(ON) | 相應(yīng)通道（NC 到 COM）導通時 NC 端口的電容 |
| CNO(ON) | 相應(yīng)通道（NO 到 COM）導通時 NO 端口的電容 |
| CCOM(ON) | 相應(yīng)通道（COM 到 NC 或 COM 到 NO）導通時 COM 端口的電容 |
| CI | 控制輸入 (IN) 的電容 |
| OISO | 開關(guān)的關(guān)斷隔離是關(guān)斷狀態(tài)開關(guān)阻抗的度量。當相應(yīng)通道（NC 到 COM 或 NO 到 COM）處于關(guān)斷狀態(tài)時，關(guān)斷隔離是在特定頻率下測量得出的，以 dB 為單位。 |
| XTALK | 串擾是從導通通道到關(guān)斷通道（NC 到 NO 或 NO 到 NC）之間不必要的信號耦合的量度。此串擾在特定頻率下測量得出并以 dB 為單位。 |
| BW | 開關(guān)帶寬。這是導通通道增益比直流增益低 -3dB 時的頻率。 |
| THD | 總諧波失真用于描述由模擬開關(guān)導致的信號失真。其定義為二次、三次和更高次諧波與基波絕對幅度之比的均方根 (RMS) 值。 |
| I+ | 控制 (IN) 引腳處于 V+ 或 GND 狀態(tài)時的靜態(tài)電源電流 |