ZHCSYS2 August 2025 TRF1208-EP
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
TA = 25°C,溫度曲線指定環(huán)境溫度,VDD = 3.3V,50Ω 單端輸入,100Ω 差分輸出(除非另有說(shuō)明)
| PO/子載波 = –4dBm,10MHz 子載波間隔 |
| 在 (2f1 – f2) 頻率條件下,f1 < f2;PO/子載波 = –4dBm, 10MHz 子載波間隔 |
| 在 (2f2 – f1) 頻率條件下,f1 < f2;PO/子載波 = –4dBm, 10MHz 子載波間隔 |
| 在 (f2 – f1) 頻率條件下,f2 > f1;PO/子載波 = –4dBm, 10MHz 子載波間隔 |
| 在 (f2 + f1) 頻率條件下,f2 > f1;PO/子載波 = –4dBm, 10MHz 子載波間隔 |
| 在 (f2 – f1) 頻率條件下,f2 > f1;PO/子載波 = –4dBm, 10MHz 子載波間隔 |
| 在 (f2 + f1) 頻率條件下,f2 > f1;PO/子載波 = –4dBm, 10MHz 子載波間隔 |
| PO = +3dBm |
| PO = +3dBm |
| 輸入 = –2dBm,f = 500MHz |
| 低頻率截止頻率與交流耦合電容的函數(shù)關(guān)系 |
圖 5-39 單端 S11| PO/子載波 = –4dBm,10MHz 子載波間隔 |
| 在 (2f1 – f2) 頻率條件下,f1 < f2;PO/子載波 = –4dBm, 10MHz 子載波間隔 |
| 在 (2f2 – f1) 頻率條件下,f1 < f2;PO/子載波 = –4dBm, 10MHz 子載波間隔 |
| 在 (f2 – f1) 頻率條件下,f2 > f1;PO/子載波 = –4dBm, 10MHz 子載波間隔 |
| 在 (f2 + f1) 頻率條件下,f2 > f1;PO/子載波 = –4dBm, 10MHz 子載波間隔 |
| 在 (f2 – f1) 頻率條件下,f2 > f1;PO/子載波 = –4dBm, 10MHz 子載波間隔 |
| 在 (f2 + f1) 頻率條件下,f2 > f1;PO/子載波 = –4dBm, 10MHz 子載波間隔 |
| PO = +3dBm |
| PO = +3dBm |
| 輸入 = +6dBm |
| f = 1GHz,PIN = –10dBm |
圖 5-40 差分 S22