ZHCSS33 june 2023 TPSM843A22
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能模塊圖
- 7.3
特性說(shuō)明
- 7.3.1 VIN 引腳和 VIN UVLO
- 7.3.2 內(nèi)部旁路 (BP5)
- 7.3.3 使能端和可調(diào)節(jié) UVLO
- 7.3.4 開(kāi)關(guān)頻率選擇
- 7.3.5 與外部時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)頻率同步
- 7.3.6 遙感放大器和調(diào)節(jié)輸出電壓
- 7.3.7 環(huán)路補(bǔ)償指南
- 7.3.8 軟啟動(dòng)和預(yù)偏置輸出啟動(dòng)
- 7.3.9 MSEL 引腳
- 7.3.10 電源正常 (PG)
- 7.3.11 輸出過(guò)載保護(hù)
- 7.3.12 輸出過(guò)壓和欠壓保護(hù)
- 7.3.13 過(guò)熱保護(hù)
- 7.3.14 輸出電壓放電
- 7.4 器件功能模式
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RDG|25
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
7.3.7.2 斜坡電容器選型
TPSM843A26 使用輸入電壓、占空比和低側(cè) FET 電流信息來(lái)生成內(nèi)部斜坡。斜坡幅度由內(nèi)部斜坡生成電容器 CRAMP 確定?？梢酝ㄟ^(guò) MSEL 引腳上連接至 AGND 的電阻器為 CRAMP 選擇三個(gè)不同值（請(qǐng)參閱節(jié) 7.3.9）。電容器選項(xiàng)為 1pF、2pF 和 4pF。較大的斜坡電容器會(huì)導(dǎo)致較小的斜坡幅度，從而導(dǎo)致較高的控制環(huán)路帶寬。下圖顯示了環(huán)路如何隨圖 8-1 中原理圖的每個(gè)斜坡設(shè)置而變化。
許多應(yīng)用在 4pF 的 CRAMP 值下表現(xiàn)出色，但是，用戶必須測(cè)量環(huán)路增益和相位，才能確定特定應(yīng)用的理想 CRAMP 值。
- 首先，使用方程式 5 和表 7-4 計(jì)算 RAMP 時(shí)間常數(shù)。方程式 5.表 7-4 RAMP 選擇查找值
fSW (kHz) 查找 1 值 查找 2 值 500 0.372 0.297 750 0.548 0.445 1000 0.719 0.594 1500 1.04 0.891 2200 1.46 1.31 - 接下來(lái)，計(jì)算 RAMP 電容器電壓以確保為 CRAMP 選擇的電容器不會(huì)導(dǎo)致大于 1.25V 的斜坡幅度，從而確保斜坡在負(fù)載瞬態(tài)期間不會(huì)飽和接地。方程式 6.
- 較大的 CRAMP 電容會(huì)導(dǎo)致最高環(huán)路增益。
- 較小的 CRAMP 電容需要較少的輸出電容器，并導(dǎo)致更高的交叉頻率。
圖 7-6 和圖 7-7 顯示了環(huán)路如何隨節(jié) 8 中原理圖的每個(gè)斜坡設(shè)置而變化。
圖 7-6 環(huán)路增益與斜坡設(shè)置
圖 7-7 環(huán)路相位與斜坡設(shè)置