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ZHCSRQ2A February 2023 – November 2023 TPSM63610E

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RDF|22
- MPQF620

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

7.5 電氣特性

除非另有說明，否則限制值適用于推薦的 -55°C 至 +125°C 工作結(jié)溫范圍。最小和最大限制經(jīng)過測試、設計和統(tǒng)計相關性分析確定。典型值表示 T_J = 25°C 條件下最有可能達到的參數(shù)標準，僅供參考。除非另有說明，以下條件適用：V_IN = 12。VIN1 短接至 VIN2 = V_IN。V_OUT 是輸出設定點。

參數(shù)		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源電壓（VIN 引腳）
V_IN	最小工作輸入電壓	啟動需要			3.7	V
V_IN	最小工作輸入電壓	運行后			3	V
V_{IN_OP_H}	最小電壓遲滯			1		V
I_Q	非開關輸入電流；在 VIN 引腳處測得 ⁽³⁾	V_FB = +5%，V_BIAS = 5V		0.5	10	μA
I_SD	關斷靜態(tài)電流；在 VIN 引腳處測得	V_EN = 0V，V_IN = 12V		0.57	7.5	μA
I_B	流入 BIAS 引腳的電流（未切換）	V_FB = +5%，V_BIAS = 5V，啟用了自動模式		18.5	26	μA
使能（EN 引腳）
V_EN	使能輸入閾值電壓 - 上升	V_EN 上升	1.0	1.263	1.365	V
V_{EN_HYST}	使能閾值遲滯		0.1	0.35	0.5	V
V_{EN_WAKE}	使能喚醒閾值		0.4			V
I_EN	使能引腳輸入電流	V_IN = V_EN = 12V		1.5	50	nA
內(nèi)部 LDO（VCC 引腳）
V_CC	內(nèi)部 VCC 電壓	V_BIAS = 0V		3.4		V
V_CC	內(nèi)部 VCC 電壓	V_BIAS = 3.3V，20mA		3.2		V
V_{CC_UVLO}	釋放內(nèi)部 VCC 欠壓鎖定時的 V_IN 電壓	I_VCC = 0A			3.75	V
V_{CC_UVLO_HYST}	內(nèi)部 VCC 欠壓鎖定遲滯	遲滯低于 V_{CC_UVLO}		1.2		V
電壓基準（FB 引腳）
V_FB	可調(diào)節(jié) (1V FB) 版本的初始基準電壓精度	V_IN = 3.0V 至 36V，F(xiàn)PWM 模式	0.985	1	1.015	V
I_FB	從 FB 到 AGND 的輸入電流	僅限可調(diào)節(jié)版本，V_FB = 1V			50	nA
電流限值
I_{SC_8}	短路高側(cè)電流限值	8 A 型號，占空比接近 0%	11.5	13.8	15.7	A
I_{LS-LIMIT_8}	低側(cè)電流限值		8	9.2	10.5	A
I_{PEAK-MIN_8}	最小峰值電感器電流			1.9		A
I_{L-NEG_8}	負電流限值		-6.4	-5.3	-3.9	A
I_L-ZC	過零電流限值。流出 SW 引腳的電流方向為正。	自動模式，靜態(tài)測量		70		mA
V_HICCUP	FB 引腳上的斷續(xù)閾值		0.36	0.4	0.44	V
電源正常（/RESET 引腳）
V_復位-OV	復位上限閾值 - 上升	FB 電壓 %	109.5	112	114.5	%
V_復位-UV	復位下限閾值 - 下降	FB 電壓 %	93	95	97.5	%
V_{復位_GUARD}	復位輸出電壓與 UV 閾值下降時，UV 閾值占穩(wěn)態(tài)輸出電壓的百分比，在相同的 T_J 和 V_IN 下讀取。	下降			97	%
V_{復位-HYS-FALLING}	復位下降閾值遲滯	FB 電壓 %		1.3		%
V_{復位-HYS-RISING}	復位上升閾值遲滯	FB 電壓 %		1.3		%
V_{復位_VALID}	正常的最小輸入電壓復位函數(shù)	在 V_{時測得復位}< 0.4V、10kΩ 上拉至外部 5V			1.2	V
V_OL	復位低電平功能輸出電壓	46.0μA 上拉至復位引腳，V_IN = 1.0V、V_EN = 0V			0.4	V
		1mA 上拉至復位引腳，V_IN = 12V、V_EN = 0V			0.4
		2mA 上拉至復位引腳，V_IN = 12V、V_EN = 3.3V			0.4
R_復位	復位導通電阻，	V_EN = 5V，1mA 上拉電流		44	125	Ω
R_復位	復位導通電阻，	V_EN = 0 V，1mA 上拉電流		18	40	Ω
t_{RESET_FILTER}	復位邊沿抗尖峰脈沖延遲		10	26	45	μs
t_{RESET_ACT}	復位激活時間	FB 時間在復位釋放前必須有效。	1.2	2.1	3.75	ms
振蕩器（RT 和 SYNC 引腳）
f_OSC	內(nèi)部振蕩器頻率	RT = GND	1.90	2.2	2.42	MHz
f_OSC	內(nèi)部振蕩器頻率	RT = VCC	320	400	450	kHz
f_{FIXED_2.2MHz}	使用 RT 電阻器的最大值選擇 2.2MHz 測得的振蕩器頻率	RT = 6.81k?	1.95	2.2	2.42	MHz
f_{FIXED_0.4MHz}	使用 RT 電阻器的最小值選擇 0.4MHz 測得的振蕩器頻率	RT = 40.2k?	352	400	448	kHz
f_ADJ	中心微調(diào)振蕩器頻率	RT = 22.6kΩ	630	700	770	kHz
V_SYNCDL	SYNC/MODE 輸入電壓低		0.4			V
V_SYNCDH	SYNC/MODE 輸入電壓高				1.7	V
V_{SYNCD_HYST}	SYNC/MODE 輸入電壓遲滯		0.185		1	V
R_SYNC	內(nèi)部下拉電阻，確保 SYNC/MODE 不會懸空			100		kΩ
t_{SYNC_EDGE}	在 SYNC/MODE 引腳上識別同步時鐘所需的高電平和低電平持續(xù)時間		100			ns
t_MSYNC	在一個電平上指示 FPWM 或自動模式所需的時間		7		20	μs
t_LOCK	時鐘鎖定到有效同步信號所需的時間	RT = 39.2k?		4.3		ms
展頻
ΔFc+	內(nèi)部振蕩器因展頻而實現(xiàn)頻率增大		1	4	7.5	%
ΔFc-	內(nèi)部振蕩器因展頻而實現(xiàn)頻率減小		-8	-4	-1	%
高側(cè)驅(qū)動（CBOOT 引腳）
V_{CBOOT_UVLO}	與 SW 相比 CBOOT 引腳上的電壓，將關閉高側(cè)開關			1.9		V
MOSFET
R_DS-ON-HS	高邊 MOSFET 導通電阻	負載 = 1A，C_BOOT-SW = 3.2V		21	39	mΩ
R_DS-ON-LS	低邊 MOSFET 導通電阻	負載 = 1A，C_BOOT-SW = 3.2V		13	25	mΩ
PWM 限制（SW 引腳）
t_ON-MIN	最短高側(cè)開關導通時間	V_IN = 18V，V_SYNC/MODE = 5V，I_OUT = 2A，R_BOOT = 0?		62	81	ns
t_OFF-MIN	最短高側(cè)開關關斷時間	V_IN = 5 V		70	103	ns
t_ON-MAX	最大開關導通時間	壓降中的 HS 超時	6.9	8.9	11	μs
D_MAX	最大開關占空比	在頻率折返期間	98			%
D_MAX	最大開關占空比	fsw =1.85MHz		87		%
啟動
t_EN	導通延遲	V_IN = 12V、C_VCC = 1μF 時從 EN 高電平到第一個 SW 脈沖的時間（如果輸出從 0V 開始）		0.82	1.2	ms
t_SS	從設定點的第一個 SW 脈沖到 90% V_REF 的時間。		1.6	2.2	2.7	ms
t_W	短路等待時間（“斷續(xù)”時間）			40		ms