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ZHCSRQ2A February 2023 – November 2023 TPSM63610E

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RDF|22
- MPQF620

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

8.1 概述

TPSM63610E 是一款易于使用的同步降壓直流/直流電源模塊，專(zhuān)為注重可靠性、小解決方案尺寸和低 EMI 特性的各種應(yīng)用而設(shè)計(jì)。TPSM63610E 具有集成功率 MOSFET、降壓電感器和 PWM 控制器，可在 3V 至 36V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，瞬態(tài)電壓高達(dá) 42V。該模塊以較小的解決方案尺寸提供高達(dá) 8A（峰值 10A）的直流負(fù)載電流，并具有高轉(zhuǎn)換效率和超低輸入靜態(tài)電流。該模塊不需要控制環(huán)路補(bǔ)償，可縮短設(shè)計(jì)時(shí)間并減少外部元件數(shù)量。

TPSM63610E 可以使用其 RT 引腳或外部時(shí)鐘信號(hào)實(shí)現(xiàn) 200kHz 至 2.2MHz 的可編程開(kāi)關(guān)頻率范圍，并整合了多項(xiàng)特定功能，可提高噪聲敏感型應(yīng)用中的 EMI 性能：

經(jīng)過(guò)優(yōu)化的封裝和引腳排列設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)屏蔽式開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)布局，可降低輻射 EMI
具有對(duì)稱(chēng)電容器布局的并行輸入和輸出路徑可更大限度地減少寄生電感、開(kāi)關(guān)電壓振鈴和輻射場(chǎng)耦合
雙隨機(jī)展頻 (DRSS) 調(diào)制可降低峰值發(fā)射
電阻器可編程開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率
時(shí)鐘同步和 FPWM 模式可在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)提供恒定的開(kāi)關(guān)頻率
具有增強(qiáng)型柵極驅(qū)動(dòng)控制的集成功率 MOSFET 可實(shí)現(xiàn)低噪聲 PWM 開(kāi)關(guān)

這些特性共同顯著降低了 EMI 濾波要求，同時(shí)有助于滿(mǎn)足傳導(dǎo)和輻射發(fā)射的 CISPR 11 和 CISPR 32 B 類(lèi) EMI 限制。

TPSM63610E 模塊還包括固有保護(hù)功能，可滿(mǎn)足穩(wěn)健的系統(tǒng)要求：

用于電源軌時(shí)序控制和故障報(bào)告的開(kāi)漏 PGOOD 指示器
具有遲滯功能的精密使能輸入，可提供
- 可編程線路欠壓鎖定 (UVLO)
- 遠(yuǎn)程開(kāi)關(guān)功能
內(nèi)部固定輸出電壓軟啟動(dòng)，可單調(diào)啟動(dòng)至預(yù)偏置負(fù)載
具有逐周期峰值和谷值電流限制的斷續(xù)過(guò)流保護(hù)
具有自動(dòng)恢復(fù)功能的熱關(guān)斷。

TPSM63610E 采用專(zhuān)為簡(jiǎn)單布局而設(shè)計(jì)的引腳排列，僅需很少的外部元件，最高結(jié)溫為 125°C。請(qǐng)參閱典型性能曲線以估算在給定環(huán)境中的適用情況。