ZHCSQ85A November 2022 – December 2023 TPSM63610
PRODUCTION DATA
使用兩個外殼尺寸為 1210 的 10μF、50V、X7R 電介質(zhì)陶瓷電容器,從 VIN1 和 VIN2 引腳對稱連接到 PGND 并盡可能靠近模塊。更具體地說,這些電容器從內(nèi)部高側(cè) MOSFET 的漏極連接到低側(cè) MOSFET 的源極,從而有效地從正輸入電壓端子連接到負(fù)輸出電壓端子。
輸入電壓和輸出電壓之和 (VIN + |–VOUT|) 是在電容器上施加的有效電壓。在 25°C 且輸入電壓為 12V 和 24V(對應(yīng)的施加電壓為 24V 和 36V)時,總有效電容分別約為 12μF 和 8μF。查看電容器數(shù)據(jù)表中的電容與電壓降額關(guān)系曲線。
在輸入端上直接連接一個額外的 10μF、50V 電容器。此電容器被指定為 CIN3,并連接在 VIN+ 和 VIN-端子上,如圖 8-14 所示。