4 引腳配置和功能

TPS92544-Q1 PKD 封裝48 引腳 HTQFP（頂部外露焊盤）頂視圖

圖 4-1 PKD 封裝48 引腳 HTQFP（頂部外露焊盤）頂視圖

TPS92544-Q1 PHP 封裝48 引腳 HTQFP（底部外露焊盤）頂視圖

圖 4-2 PHP 封裝48 引腳 HTQFP（底部外露焊盤）頂視圖

表 4-1 引腳功能

引腳		I/O	說明
名稱	編號(hào)
名稱	PKD/PHP
BOOTBCK	19	P	降壓高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路的電源輸入。在 BOOTBCK 和 SWBCK 引腳之間連接一個(gè)陶瓷電容器。內(nèi)部二極管連接在 VDD 和 BOOTBCK 之間。
BOOTBST	33	P	升壓高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路的電源輸入。在 BOOTBST 和 SWBST 之間連接一個(gè)陶瓷電容器。內(nèi)部二極管連接在 VDD 和 BOOTBST 之間。
CMPBCK	25	I/O	降壓內(nèi)部跨導(dǎo)誤差放大器的輸出。連接整體式補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)以確保穩(wěn)定性。
CMPBST	41	I/O	升壓內(nèi)部跨導(dǎo)誤差放大器的輸出。連接比例積分補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)以確保穩(wěn)定性。
CSN	24	I	內(nèi)部軌到軌跨導(dǎo)誤差放大器的負(fù)輸入 (–)。直接連接到 LED 電流檢測(cè)電阻 R_CS 的負(fù)節(jié)點(diǎn)。
CSP	23	I	內(nèi)部軌到軌跨導(dǎo)誤差放大器的正輸入 (+)。直接連接到 LED 電流檢測(cè)電阻 R_CS 的正節(jié)點(diǎn)。
DIO0	6	I/O	數(shù)字 IO。引腳可配置為數(shù)字輸入或數(shù)字輸出。
DIO1	8	I/O	數(shù)字 IO。引腳可配置為數(shù)字輸入或數(shù)字輸出。
EN	45	I	硬件啟用。將該引腳拉至低電平，進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)。
GND	43	G	信號(hào)和模擬地。內(nèi)部電壓基準(zhǔn)和模擬電路的回路。連接到電路接地以形成完整的返回路徑。
GNDA	40	G	信號(hào)和模擬地。內(nèi)部電壓基準(zhǔn)和模擬電路的回路。連接到電路接地以形成完整的返回路徑。
HGBST	31	I/O	升壓高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。
ISN	37	O	升壓電流檢測(cè)放大器的負(fù)輸入 (–)。直接連接到電流檢測(cè)電阻 R_IS。
ISP	38	I	升壓電流檢測(cè)放大器的正輸入 (+)。直接連接到電流檢測(cè)電阻 R_IS。
LGBST	36	I/O	升壓低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。
MPIO0	48	I/O	多用途 IO。引腳可配置為 ADC 輸入、數(shù)字輸入或數(shù)字輸出。MPIO0 用于進(jìn)入 CTM。
MPIO1	1	I/O	多用途 IO。引腳可配置為 ADC 輸入、數(shù)字輸入或數(shù)字輸出。
MPIO2	2	I/O
MPIO3	3	I/O
MPIO4	4	I/O
NC1、NC2、NC3、NC4、NC5、NC6、NC7、NC8、NC9、NC10、NC11、NC12、NC13、NC14、NC15、NC16、NC17	5、7、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、22、27、30、34、39	NC	請(qǐng)勿連接?？山拥亍?/td>
PGNDBCK	26	G	降壓低側(cè) MOSFET 的接地回路
PGNDBST	35	G	升壓高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的接地回路
RX	47	I	UART 接收數(shù)據(jù)輸入。連接到 CAN 收發(fā)器的 RX。
SWBCK	20、21	P	降壓穩(wěn)壓器的開關(guān)輸出。內(nèi)部連接到兩個(gè)功率 MOSFET。連接到功率電感器。
SWBST	32	P	升壓控制器的開關(guān)節(jié)點(diǎn)。
TX	46	O	UART 傳輸數(shù)據(jù)輸出。連接到 CAN 收發(fā)器的 TX。
VBCK	29	P	電源輸入以及與降壓高側(cè) MOSFET 漏極節(jié)點(diǎn)的連接。連接到降壓輸出電壓和旁路電容 C_IN。從 VBCK 引腳到高頻旁路 C_IN 和 PGND 的路徑必須盡可能短。
VBCKA	28	P	降壓穩(wěn)壓器的內(nèi)部模擬塊的電源。連接到 VBCK 引腳和高頻旁路電容。
VDD	44	P	數(shù)字輸入電源電壓。使用靠近器件的 2.2μF 至 4.7μF 陶瓷電容器在本地去耦至 GND。
VDDA	42	P	模擬輸入電源電壓。使用靠近器件的 100nF 至 1μF 陶瓷電容器在本地去耦至 GND。