4 引腳配置和功能

TPS92543-Q1 PKD 封裝48 引腳 HTQFP（頂部外露焊盤）頂視圖

圖 4-1 PKD 封裝48 引腳 HTQFP（頂部外露焊盤）頂視圖

TPS92543-Q1 PHP 封裝48 引腳 HTQFP（底部外露焊盤）頂視圖

圖 4-2 PHP 封裝48 引腳 HTQFP（底部外露焊盤）頂視圖

表 4-1 引腳功能

引腳		I/O	說明
名稱	編號
名稱	PKD/PHP
BOOTBCK	19	P	降壓高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動電路的電源輸入。在 BOOTBCK 和 SWBCK 引腳之間連接一個陶瓷電容器。內(nèi)部二極管連接在 VDD 和 BOOTBCK 之間。
BOOTBST	33	P	升壓高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動電路的電源輸入。在 BOOTBST 和 SWBST 之間連接一個陶瓷電容器。內(nèi)部二極管連接在 VDD 和 BOOTBST 之間。
CMPBCK	25	I/O	降壓內(nèi)部跨導誤差放大器的輸出。連接整體式補償網(wǎng)絡(luò)以保持穩(wěn)定性。
CMPBST	41	I/O	升壓內(nèi)部跨導誤差放大器的輸出。連接比例積分補償網(wǎng)絡(luò)以保持穩(wěn)定性。
CSN	24	I	內(nèi)部軌到軌跨導誤差放大器的負輸入 (–)。直接連接到 LED 電流檢測電阻 R_CS 的負節(jié)點。
CSP	23	I	內(nèi)部軌到軌跨導誤差放大器的正輸入 (+)。直接連接到 LED 電流檢測電阻 R_CS 的正節(jié)點。
EN	45	I	硬件啟用。將該引腳拉至低電平，進入關(guān)斷狀態(tài)。
GND	43	G	信號和模擬地。內(nèi)部電壓基準和模擬電路的回路。連接到電路接地以形成完整的返回路徑。
GNDA	40	G	信號和模擬地。內(nèi)部電壓基準和模擬電路的回路。連接到電路接地以形成完整的返回路徑。
HGBST	31	I/O	升壓高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。
ISN	37	O	升壓電流檢測放大器的負輸入 (–)。直接連接到電流檢測電阻 R_IS。
ISP	38	I	升壓電流檢測放大器的正輸入 (+)。直接連接到電流檢測電阻 R_IS。
LGBST	36	I/O	升壓低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。
LED1G	4	I/O	外部分流 FET 控制器的柵極驅(qū)動器輸出。連接到外部 FET 的柵極
LED2G	6	I/O
LED3G	8	I/O
LED4G	12	I/O
LED5G	14	I/O
LED6G	16	I/O
LED3A	9	I/O	連接到 LED3 的陽極（子燈串 2 的頂部）
LED6A	17	I/O	連接到 LED6 的陽極（子燈串 1 的頂部）
LED2K	5	I/O	連接至 LED2 的陰極
LED3K	7	I/O	連接至 LED3 的陰極
LED4K	11	I/O	連接至 LED4 的陰極
LED5K	13	I/O	連接至 LED5 的陰極
LED6K	15	I/O	連接至 LED6 的陰極
MPIO0	48	I/O	多用途 IO。引腳可配置為 ADC 輸入、數(shù)字輸入或數(shù)字輸出。MPIO0 用于進入 CTM。
MPIO1	1	I/O	多用途 IO。引腳可配置為 ADC 輸入、數(shù)字輸入或數(shù)字輸出
MPIO2	2	I/O
MPIO3	3	I/O
NC1、NC2、NC3、NC4、NC5、NC6、NC7	10、18、22、27、30、34、39	NC	請勿連接。可接地。
PGNDBCK	26	G	降壓低側(cè) MOSFET 的接地回路
PGNDBST	35	G	升壓高側(cè)柵極驅(qū)動器的接地回路
RX	47	I	UART 接收數(shù)據(jù)輸入。連接到 CAN 收發(fā)器的 RX。
SWBCK	20、21	P	降壓穩(wěn)壓器的開關(guān)輸出。內(nèi)部連接到兩個功率 MOSFET。連接到功率電感器。
SWBST	32	P	升壓控制器的開關(guān)節(jié)點。
TX	46	O	UART 傳輸數(shù)據(jù)輸出。連接到 CAN 收發(fā)器的 TX。
VBCK	29	P	電源輸入以及與降壓高側(cè) MOSFET 漏極節(jié)點的連接。連接到降壓輸出電壓和旁路電容 C_IN。從 VBCK 引腳到高頻旁路 C_IN 和 PGND 的路徑必須盡可能短。
VBCKA	28	P	降壓穩(wěn)壓器的內(nèi)部模擬塊的電源。連接到 VBCK 引腳和高頻旁路電容。
VDD	44	P	數(shù)字輸入電源電壓。使用靠近器件的 2.2μF 至 4.7μF 陶瓷電容器在本地去耦至 GND。
VDDA	42	P	模擬輸入電源電壓。使用靠近器件的 100nF 至 1μF 陶瓷電容器在本地去耦至 GND。