ZHCSYC9 May 2025 TPS7H4012-SEP , TPS7H4013-SEP
ADVMIX
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 器件選項(xiàng)表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
- 8 參數(shù)測(cè)量信息
- 9 詳細(xì)說明
- 10應(yīng)用和實(shí)施
- 11器件和文檔支持
- 12修訂歷史記錄
- 13機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDW|44
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
9.3.8.1.2 高側(cè) 2 過流保護(hù) (HS2)
有時(shí)，HS1 電流限值不足以保護(hù)器件。例如，短路可能會(huì)非常激進(jìn)，即使高側(cè)僅在最短導(dǎo)通時(shí)間 tON 內(nèi)開啟，電流也會(huì)繼續(xù)上升。為降低這種風(fēng)險(xiǎn)，TPS7H401x 實(shí)施了高側(cè)過流保護(hù) 2 (HS2) 形式的次級(jí)過流保護(hù)。
當(dāng)通過高側(cè) MOSFET 的電流達(dá)到或超過 IOC_HS2 時(shí)，達(dá)到 HS2 電流限值。為了防止電流持續(xù)增加，將跳過接下來的四個(gè)高側(cè)周期，而低側(cè) MOSFET 保持導(dǎo)通狀態(tài)，以便對(duì)電感器進(jìn)行放電。圖 9-10 展示了此操作的簡(jiǎn)化波形。
圖 9-10 高側(cè) 2 過流保護(hù)高側(cè) 2 過流保護(hù) (HS2) 閾值對(duì)于 TPS7H4012 通常為 11.8A，對(duì)于 TPS7H4013 通常為 6.8A。
與 IOC_HS1 電流限制類似，IOC_HS2 的限制閾值也是在開環(huán)配置下測(cè)量的，這是由于測(cè)試能力的限制，而實(shí)際的短路事件是動(dòng)態(tài)的并且發(fā)生在閉環(huán)系統(tǒng)中