1 特性

• 5962R13202：
  • 耐輻射保障 (RHA)：高達(dá) 100krad (Si) TID
  • 電離輻射總劑量：100krad (Si)
  • 無(wú)低劑量率輻射損傷增強(qiáng) (ELDRS)：100krad (Si)
  • 劑量率：10 mrad (Si)/s
  • 單粒子鎖定 (SEL) 對(duì)于
    LET 的抗擾度 = 85MeV-cm²/mg
  • SEB 和 SEGR 對(duì)于
    LET 的抗擾度 = 85MeV-cm²/mg
  • SET/SEFI 起始閾值大于 40MeV-cm²/mg，詳情請(qǐng)參閱輻射報(bào)告(SNAA257)
    • 專為降低干擾而設(shè)計(jì)，以避免損壞重要的下行組件
  • 有關(guān) SET/SEFI 橫截面圖的詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱輻射報(bào)告 (SNAA257)
• 超低輸入電壓范圍：1.5V 至 7V
• 3A 最大輸出電流
• 共流/并行運(yùn)行以提供高達(dá) 6A 的輸出電流
• 與陶瓷輸出電容一起工作時(shí)保持穩(wěn)定
• 線路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度為 ±2%
• 通過(guò)外部電容器進(jìn)行可編程的軟啟動(dòng)
• 所有輸入電壓具有輸入使能，且具有電源正常輸出，可進(jìn)行電源定序
• 超低壓降 LDO 電壓：
  1A (25°C)、V_OUT = 1.8V 時(shí)為 62mV
• 低噪聲：
  V_IN = 2V、V_OUT = 1.8 V、電流為 3A 時(shí)為20.33µVRMS
• 電源抑制比 (PSRR)：1kHz 頻率下超過(guò) 45dB
• 出色的負(fù)載/線路瞬態(tài)響應(yīng)
• 折返電流限制
• 請(qǐng)參閱“工具和軟件”選項(xiàng)卡
• 耐熱增強(qiáng)型 CFP 封裝 (0.6°C/W R_θJC)

2 應(yīng)用

• 用于 FPGA、微控制器、ASIC 和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的太空衛(wèi)星負(fù)載點(diǎn)電源
• 太空衛(wèi)星有效載荷
• 用于射頻、壓控振蕩器、接收器和放大器的耐輻射低噪聲線性穩(wěn)壓器
• 潔凈模擬電源要求
• 可用于軍用溫度范圍，即 -55°C 至 125°C
• 提供工程評(píng)估 (/EM) 樣品 ⁽¹⁾

3 說(shuō)明

TPS7H1101A-SP 是 TPS7H1101-SP 的改進(jìn)版，允許在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)使用使能特性。它是一款使用 PMOS 導(dǎo)通元件配置的耐輻射 LDO 線性穩(wěn)壓器。它可在 1.5V 至 7V 的寬輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行，同時(shí)提供出色的 PSRR。TPS7H1101A-SP 通過(guò) 極寬的調(diào)節(jié)范圍實(shí)現(xiàn)了精確的可編程折返電流限值功能。為了滿足 FPGA、DSP 或微控制器的復(fù)雜電源要求，TPS7H1101A-SP 提供了啟用開(kāi)/關(guān)功能、可編程軟啟動(dòng)、共流能力和一個(gè)電源正常開(kāi)漏輸出。

1. 這些部件僅用于工程評(píng)估。以非合規(guī)性流程對(duì)其進(jìn)行了處理（即未進(jìn)行老化處理等操作）并且僅在 25°C 的額定溫度下進(jìn)行了測(cè)試。這些部件不適用于質(zhì)檢、生產(chǎn)、輻射測(cè)試或飛行。這些零部件無(wú)法在 –55°C 至 125°C 的完整 MIL 額定溫度范圍內(nèi)或運(yùn)行壽命中保證其性能。
2. 如需了解所有可用封裝，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。

典型應(yīng)用電路

4 修訂歷史記錄

Changes from * Revision (April 2017) to A Revision

• Added Bare Die Information tableGo
• Added Bond Pad Coordinates in Microns tableGo