ZHCSQH4 October 2024 TPS62810-EP , TPS62811-EP , TPS62812-EP , TPS62813-EP
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源 | |||||||
| IQ | 工作靜態(tài)電流 | EN = 高電平，IOUT = 0mA，器件未開關， TJ= 125°C |
21 | μA | |||
| IQ | 工作靜態(tài)電流 | EN = 高電平，IOUT = 0mA，器件未開關 | 15 | 30 | μA | ||
| ISD | 關斷電流 | EN = 0V，TJ = 125°C | 18 | μA | |||
| ISD | 關斷電流 | EN = 0V，TJ = 25°C 時的標稱值， TJ = 150°C 時的最大值 |
1.5 | 26 | μA | ||
| VUVLO | 欠壓鎖定閾值 | 輸入電壓上升 | 2.5 | 2.6 | 2.75 | V | |
| 輸入電壓下降 | 2.25 | 2.5 | 2.6 | V | |||
| TSD | 熱關斷溫度 | 結溫上升 | 170 | °C | |||
| 熱關斷遲滯 | 15 | ||||||
| 控制（EN、SS/TR、PG、MODE） | |||||||
| VIH | MODE 引腳的高電平輸入電壓 | 1.1 | V | ||||
| VIL | MODE 引腳的低電平輸入電壓 | 0.3 | V | ||||
| fSYNC | MODE 引腳上用于同步的頻率范圍 | 在 COMP/FSET 和 GND 之間需要一個電阻器，請參閱應用部分 | 1.8 | 4 | MHz | ||
| MODE 引腳上同步信號的占空比 | 40% | 50% | 60% | ||||
| 鎖定到外部頻率所需的時間 | 50 | μs | |||||
| VIH | EN 引腳的輸入閾值電壓；上升沿 | 1.06 | 1.1 | 1.15 | V | ||
| VIL | EN 引腳的輸入閾值電壓；下降沿 | 0.96 | 1.0 | 1.05 | V | ||
| ILKG | EN、MODE/SYNC 的輸入漏電流 | VIH = VIN 或 VIL= GND | 150 | nA | |||
| 用于實現(xiàn)邏輯低電平的 COMP/FSET 至 GND 電阻 | f = 2.25MHz 時的內部頻率設置 | 0 | 2.5 | kΩ | |||
| COMP/FSET 上用于實現(xiàn)邏輯高電平的電壓 | f = 2.25MHz 時的內部頻率設置 | VIN | V | ||||
| VTH_PG | UVP 電源正常閾值電壓；直流電平 | 上升 (%VFB) | 92% | 95% | 98% | ||
| UVP 電源正常閾值電壓；直流電平 | 下降 (%VFB) | 87% | 90% | 93% | |||
| OVP 電源正常閾值；直流電平 | 上升 (%VFB) | 107% | 110% | 113% | |||
| OVP 電源正常閾值；直流電平 | 下降 (%VFB) | 104% | 107% | 111% | |||
| 電源正?？辜夥迕}沖時間 | 對于電源正常狀態(tài)下從高電平到低電平的轉換 | 40 | μs | ||||
| VOL_PG | 電源正常狀態(tài)輸出低電平電壓 | IPG = 2mA | 0.07 | 0.3 | V | ||
| ILKG_PG | 輸入漏電流 (PG) | VPG = 5V | 100 | nA | |||
| ISS/TR | SS/TR 引腳拉電流 | 2.1 | 2.5 | 2.8 | μA | ||
| 跟蹤增益 | VFB/VSS/TR | 1 | |||||
| 跟蹤失調電壓 | VSS/TR = 0V 時的反饋電壓 | 17 | mV | ||||
| 電源開關 | |||||||
| RDS(ON) | 高側 MOSFET 導通電阻 | VIN ≥ 5V | 37 | 60 | mΩ | ||
| RDS(ON) | 低側 MOSFET 導通電阻 | VIN ≥ 5V | 15 | 35 | mΩ | ||
| 高側 MOSFET 漏電流 | VIN = 6V；V(SW) = 0V | 30 | μA | ||||
| 低側 MOSFET 漏電流 | V(SW) = 6V | 55 | μA | ||||
| SW 漏電流 | V(SW) = 0.6V；流入 SW 引腳的電流 | -0.025 | 30 | μA | |||
| ILIMH | 高側 MOSFET 電流限制 | 直流值，適用于 TPS62810；VIN = 3V 至 6V | 4.8 | 5.6 | 6.65 | A | |
| ILIMH | 高側 MOSFET 電流限制 | 直流值，適用于 TPS62813；VIN = 3V 至 6V | 3.9 | 4.5 | 5.35 | A | |
| ILIMH | 高側 MOSFET 電流限制 | 直流值，適用于 TPS62812；VIN = 3V 至 6V | 2.8 | 3.4 | 4.3 | A | |
| ILIMH | 高側 MOSFET 電流限制 | 直流值，適用于 TPS62811；VIN = 3V 至 6V | 2.0 | 2.6 | 3.35 | A | |
| ILIMNEG | 負谷值電流限值 | 直流值 | -1.8 | A | |||
| fS | PWM 開關頻率范圍 | 1.8 | 2.25 | 4 | MHz | ||
| fS | PWM 開關頻率 |
COMP/FSET 連接到 VIN 或 GND | 2.025 | 2.25 | 2.475 | MHz | |
| PWM 開關頻率容差 | 使用 COMP/FSET 到 GND 之間的電阻器，fs = 1.8MHz 到 4MHz | -19% | 18% | ||||
| ton,min | HS FET 的最短導通時間 | TJ = –40°C 至 125°C，VIN = 3.3V | 50 | 75 | ns | ||
| ton,min | LS FET 的最短導通時間 | VIN = 3.3V | 30 | ns | |||
| 輸出 | |||||||
| VFB | 反饋電壓 | 0.6 | V | ||||
| ILKG_FB | 輸入漏電流 (FB) | VFB = 0.6V | 1 | 70 | nA | ||
| VFB | 反饋電壓精度 | VIN ≥ VOUT + 1V | PWM 模式 | -1% | 1% | ||
| VIN ≥ VOUT + 1V； VOUT ≥ 1.5V |
PFM 模式； Co,eff ≥ 22μF， L = 0.47μH |
-1% | 2% | ||||
| 1V ≤ VOUT < 1.5V | PFM 模式； Co,eff ≥ 47μF， L = 0.47μH |
-1% | 2.5% | ||||
| VFB | 反饋電壓精度與電壓跟蹤 | VIN ≥ VOUT + 1V； VSS/TR = 0.3V |
PWM 模式 | -1% | 7% | ||
| 負載調整率 | PWM 模式運行 | 0.05 | %/A | ||||
| 線路調整率 | PWM 模式運行，IOUT= 1A，VIN ≥ VOUT + 1V | 0.02 | %/V | ||||
| 輸出放電電阻 | 50 | Ω | |||||
| tdelay | 啟動延遲時間 | IOUT = 0mA，從 EN = 高電平到開始開關的時間；已施加 VIN | 135 | 250 | 650 | μs | |
| tramp | 斜坡時間；SS/TR 引腳開路 | IOUT = 0mA，從第一次開關脈沖到標稱輸出電壓 95% 的時間；器件未處于電流限制狀態(tài) | 100 | 150 | 200 | μs | |