TPS543B25T 使用輸入電壓、占空比和低側(cè) FET 電流信息來生成內(nèi)部斜坡。斜坡幅度由內(nèi)部斜坡生成電容器 C_RAMP 確定?？梢酝ㄟ^ MSEL 引腳上連接至 AGND 的電阻器為 C_RAMP 選擇三個不同值（請參閱節(jié) 6.3.9）。電容器選項為 1pF、2pF 和 4pF。較大的斜坡電容器會導致較小的斜坡幅度，從而導致較高的控制環(huán)路帶寬。下圖展示了環(huán)路如何隨圖 7-1 中原理圖的每個斜坡設(shè)置而變化。

許多應(yīng)用在 4pF 的 C_RAMP 值下表現(xiàn)出色，但是，用戶必須測量環(huán)路增益和相位，才能確定特定應(yīng)用的理想 C_RAMP 值。

1. 首先，使用方程式 5 和表 6-4 計算 RAMP 時間常數(shù)。
   方程式 5. ${\mathrm{\tau }}_{\mathrm{C}\mathrm{R}\mathrm{A}\mathrm{M}\mathrm{P}}=\frac{{\mathrm{C}}_{\mathrm{R}\mathrm{A}\mathrm{M}\mathrm{P}}\mathrm{ }\times \mathrm{ }{10}^6}{\mathrm{L}\mathrm{o}\mathrm{o}\mathrm{k}\mathrm{u}\mathrm{p}1\mathrm{ }-\mathrm{ }\mathrm{L}\mathrm{o}\mathrm{o}\mathrm{k}\mathrm{u}\mathrm{p}2\mathrm{ }\mathrm{ }\times \mathrm{ }\mathrm{ }\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}}}$
   表 6-4 RAMP 選擇查找值

   fSW (kHz)	Look-up1 值	Look-up2 值
   500	0.372	0.297
   750	0.548	0.445
   1000	0.719	0.594
   1500	1.04	0.891
   2200	1.46	1.31

2. 接下來，計算 RAMP 電容器電壓以確保為 C_RAMP 選擇的電容器不會導致大于 1.25V 的斜坡幅度，從而確保斜坡在負載瞬態(tài)期間不會飽和接地。
   方程式 6. ${\mathrm{V}}_{\mathrm{C}\mathrm{R}\mathrm{A}\mathrm{M}\mathrm{P}}=\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}\mathrm{ }\times {\mathrm{ }(\mathrm{t}}_{\mathrm{O}\mathrm{N}}\mathrm{ }+\mathrm{ }\mathrm{100ns})}{{\mathrm{\tau }}_{\mathrm{C}\mathrm{R}\mathrm{A}\mathrm{M}\mathrm{P}}}$

• 較大的 C_RAMP 電容會導致最高環(huán)路增益。
• 較小的 C_RAMP 電容需要較少的輸出電容器，并導致更高的交叉頻率。

圖 6-7 和圖 6-8 展示了環(huán)路如何隨節(jié) 7 中原理圖的每個斜坡設(shè)置而變化。

圖 6-7 環(huán)路增益與斜坡設(shè)置

圖 6-8 環(huán)路相位與斜坡設(shè)置