9 Revision History
Changes from Revision J (July 2022) to Revision K (January 2024)
- 更新了整個(gè)數(shù)據(jù)表中的 WEBENCH? 鏈接。向提到的 PowerPAD? 封裝添加了“集成電路”。將 MOSFET 電阻從 110m? 更改為 100m?。將 I
Q
從 18μA 更改為 15μAGo
- 將引腳配置圖標(biāo)題更改為“帶有散熱焊盤的 DDA 封裝 8 引腳 SOIC（頂視圖）”，并將標(biāo)題重新定位至正確的位置。將“PowerPAD”更改為“DAP”Go
- 將“絕對(duì)最大額定值”表更新為新格式，其中不包括特定參數(shù)名稱，但包括最小值和最大值列。在表頭中標(biāo)出了 TJ。使用了引腳名稱而不是信號(hào)名稱。BOOT 和 PH 電壓現(xiàn)在標(biāo)記為輸出電壓。更新了腳注并刪除了注釋 2Go
- 將 BOOT 至 PH 絕對(duì)最大值從 10V 更改為 6VGo
- 將 PH 至 GND（瞬態(tài) < 10ns）絕對(duì)最大值從 -4V 更改為 -1.2VGo
- 將 CDM ESD 電壓從 ±1500V 更改為 ±750VGo
- 將建議的工作“VI”更改為“輸入電壓”Go
- 更新了熱性能信息腳注以匹配當(dāng)前 TI 標(biāo)準(zhǔn)，其中包括 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)信息。將定制電路板信息更改為 EVM RθJA 信息Go
- 將 RθJC(top) 從 46.4 更改為 46，將 RθJB 從 20.8 更改為 15，將 ψJT 從 4.9 更改為 5.2，將 ψJB 從 20.7 更改為 15.3，并將 RθJC(bot) 從 0.8 更改為 6Go
- 添加了典型規(guī)格 EC 表頭的條件，添加了參數(shù)名稱，并在參數(shù)描述中使用了引腳名稱。添加了腳注Go
- 將 VFB 的測試條件從“IO = 0A 至 3A”更改為“TJ =–40°C 至 125°C”，將 rDS(ON) 更改為 RDSON(HS)，并將 RDSON(HS) 的測試條件從“VIN = 5.5V”更改為“VIN = 5.5V，VBOOT-SW = 4.0V”。Go
- 將 IQ 的名稱在 ENA 為低電平時(shí)更改為 ISD(VIN)，在芯片處于激活狀態(tài)時(shí)更改為 IQ(VIN)
Go
- 添加了 DMAX 的測試條件“fSW = 500kHz”，并添加了第二個(gè) RDSON(HS) 規(guī)格的測試條件“VIN = 12V，VBOOT-SW = 4.5V”Go
- 將 IQ(VIN) 典型值從 3mA 更改為 2mA，將 ISD(VIN) 典型值從 18μA 更改為 15μA，將 VINUVLO(H) 從 330mV 更改為 0.35V，并將 VEN(H) 從 450mV 更改為 325mVGo
- 將 VIN = 5V 時(shí)的 RDS(ON) 典型值從 150mΩ 更改為 125mΩ，并將 VIN = 12V 時(shí)的典型值從 110mΩ 更改為 100mΩGo
- 將概述 中的“110mΩ 高側(cè) MOSFET”更改為“100mΩ 高側(cè) MOSFET”，并將 18μA 更改為 15μAGo
- 將使能 (ENA) 和內(nèi)部慢啟動(dòng) 部分中的關(guān)斷電流從 18μA 更改為 15μAGo
- 將 UVLO 描述中的 UVLO 遲滯從 330mV 更改為 350mVGo
- 將圖 7-1中 TPS5430DDA 封裝圖的“PwPd”更改為“DAP”，并將電路說明中的“裸露的 PowerPAD?”更改為“DAP”Go
- 將圖 7-9 中 TPS5430DDA 封裝圖上的“PwPd”更改為“DAP”Go
- 將圖 7-10 中 TPS5431DDA 封裝圖上的“PwPd”更改為“DAP”Go
- 將圖 7-11中 TPS5430DDA 封裝圖上的“PwPd”更改為“DAP”Go
- 將布局指南 中的“PowerPAD”更改為“DAP”
Go
Changes from Revision I (April 2017) to Revision J (July 2022)
- 更新了整個(gè)文檔中的表格、圖和交叉參考的編號(hào)格式。Go
Changes from Revision H (April 2016) to Revision I (March 2017)