ZHCSJ77F December 2010 – December 2018 TPS51916
PRODUCTION DATA.
TPS51916 器件能夠以最少總成本和最小空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存儲(chǔ)器系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流和 2A 拉電流跟蹤 LDO (VTT) 以及緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF) 集成在一起。
該器件采用耦合了 300kHz 或 400kHz 頻率的 D-CAP™ 模式,以實(shí)現(xiàn)易于使用且快速的瞬態(tài)響應(yīng),或采用耦合了更高的 500kHz 或 670kHz 頻率的 D-CAP2™ 模式,以在無需外部補(bǔ)償電路的情況下支持陶瓷輸出電容器。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度優(yōu)于 0.8%。能夠提供 2A 灌電流和 2A 拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷電容。提供專用的 LDO 電源輸入。
該器件還可以提供卓越的電源性能。它支持靈活功率級(jí)控制,將 VTT 置于高阻抗?fàn)顟B(tài)(處于 S3)并在 S4 或 S5 狀態(tài)下對(duì) VDDQ、VTT 和 VTTREF 進(jìn)行放電(軟關(guān)閉)。它還提供具有低側(cè) MOSFET RDS(on) 檢測(cè)功能的可編程 OCL、OVP、UVP、UVLO 以及熱關(guān)斷保護(hù)。
| 器件型號(hào) | 封裝 | 封裝尺寸(標(biāo)稱值) |
|---|---|---|
| TPS51916 | QFN (20) | 3mm x 3mm |
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