1 特性

• 同步降壓控制器 (VDDQ)
  • 轉(zhuǎn)換電壓范圍：3V 至 28V
  • 輸出電壓范圍：0.7V 至 1.8V
  • 0.8% V_REF精度
  • D-CAP2™針對(duì)陶瓷輸出電容器的模式
  • 可選 500kHz/670kHz 開(kāi)關(guān)頻率
  • 自動(dòng)跳頻功能優(yōu)化了輕負(fù)載和重負(fù)載時(shí)的效率
  • 支持 S4/S5 狀態(tài)中的軟啟動(dòng)
  • 過(guò)流 (OCL) / 過(guò)壓 (OVP) / 欠壓 (UVP) / 欠壓閉鎖 (UVLO) 保護(hù)
  • 電源正常輸出
• 2A LDO (VTT)、緩沖基準(zhǔn) (VTTREF)
  • 2A（峰值）灌電流和拉電流
  • 只需 10μF 陶瓷輸出電容器
  • 經(jīng)緩沖的，低噪聲，10mA VTTREF 輸出
  • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
  • 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持軟關(guān)閉
• 熱關(guān)斷
• 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝

2 應(yīng)用

• DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存電源
• SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135 和 HSTL 終端

3 說(shuō)明

TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個(gè)用于 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)的完整電源。它將同步降壓穩(wěn)壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF) 相集成。TPS51716 采用融合了 500kHz 或 670kHz 工作頻率的 D-CAP2 模式，此模式可在無(wú)需外部補(bǔ)償電路的情況下支持陶瓷輸出電容器。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達(dá) 0.8%。能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT ，而且只需 10μF 的陶瓷電容。此外，該器件還 具有 專(zhuān)用 LDO 電源輸入。

TPS51716 提供豐富、實(shí)用的功能以及出色的電源性能。它支持靈活功率級(jí)控制，將 VTT 置于 S3 中的高阻抗?fàn)顟B(tài)并在 S4/S5 狀態(tài)中將 VDDQ，VTT 和 VTTREF 放電（軟關(guān)閉）。它包括具有低側(cè) MOSFET R_{DS（接通）}感測(cè)的可編程 OCL，OVP/UVP/UVLO 和熱關(guān)斷保護(hù)。

TI 的 TPS51716 采用 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝，且其額定環(huán)境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。

1. 如需了解所有可用封裝，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。

框圖

4 修訂歷史記錄

Changes from * Revision (October 2012) to A Revision

• 添加了 ESD 額定值 表、詳細(xì) 說(shuō)明部分，應(yīng)用和實(shí)施部分，電源相關(guān)建議部分，布局部分，器件和文檔支持部分以及機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息部分Go
• 將標(biāo)題從“完整 DDR2、DDR3、DDR3L 和 LPDDR3 內(nèi)存電源解決方案”更新為“完整 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存電源解決方案”Go
• 在應(yīng)用 列表中將“DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3 內(nèi)存電源”更改為“DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存電源”Go